近日，博世汽車電子中國(guó)區(qū)在蘇州五廠建成了SiC功率模塊生產(chǎn)基地，并于2025年1月成功下線首批產(chǎn)品。

SiC功率模塊本地化生產(chǎn)項(xiàng)目團(tuán)隊(duì) 圖/博世汽車電子

博世表示，盡管本地缺乏SiC模塊生產(chǎn)的相關(guān)經(jīng)驗(yàn)，但項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)僅用兩個(gè)月便實(shí)現(xiàn)了自主生產(chǎn)，較原計(jì)劃提前半年完成首批產(chǎn)品下線。

這一突破標(biāo)志著博世在碳化硅領(lǐng)域的布局邁出了重要一步。

搶占全球最大市場(chǎng) SiC帝國(guó)加速擴(kuò)張

作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，SiC半導(dǎo)體以其體積小、效率高、功率密度大的顯著優(yōu)勢(shì)，在新能源汽車領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。

QYResearch數(shù)據(jù)顯示，2023年全球車規(guī)級(jí)SiC功率模組市場(chǎng)銷售額達(dá)到125億元，預(yù)計(jì)到2030年將增長(zhǎng)至657.1億元，年復(fù)合增長(zhǎng)率(CAGR)為24.1%(2024-2030)。

這一快速增長(zhǎng)的市場(chǎng)吸引了全球領(lǐng)先企業(yè)的積極參與，其中博世便是典型代表。

早在2019年，博世便宣布推進(jìn)SiC相關(guān)業(yè)務(wù)。近年來，其在全球范圍內(nèi)取得了顯著進(jìn)展：

2021年，博世在德國(guó)羅伊特林根工廠投產(chǎn)了基于6英寸SiC晶圓的車規(guī)級(jí)芯片(目前正在生產(chǎn)基于8英寸晶圓的SiC芯片樣品)。

同年，博世在德國(guó)德累斯頓的晶圓廠落成，重點(diǎn)制造12英寸晶圓的MEMS芯片，進(jìn)一步擴(kuò)大了其在半導(dǎo)體領(lǐng)域的生產(chǎn)能力。

2023年，博世收購(gòu)了美國(guó)羅斯威爾芯片工廠，為其SiC業(yè)務(wù)的全球化布局奠定了基礎(chǔ)。

博世羅斯威爾晶圓廠 圖/博世汽車電子

2024年，博世獲得美國(guó)政府補(bǔ)貼，計(jì)劃對(duì)羅斯威爾芯片工廠進(jìn)行改造，專注于8英寸SiC功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)及產(chǎn)能提升，從而降低SiC器件成本。

而在中國(guó)這一全球最大的新能源汽車市場(chǎng)(2024年，中國(guó)新能源汽車產(chǎn)銷分別達(dá)到1288.8萬輛和1286.6萬輛，同比分別增長(zhǎng)34.4%和35.5%)，博世自然不會(huì)缺席：

2022年，博世與天岳先進(jìn)簽署了SiC材料供應(yīng)的長(zhǎng)期協(xié)議，確保了關(guān)鍵原材料的穩(wěn)定供應(yīng)。

同年，博世控股子公司聯(lián)合汽車電子啟動(dòng)了太倉(cāng)工廠二期項(xiàng)目建設(shè)，專注于新一代SiC功率模塊的生產(chǎn)。

此外，博世還與廣汽埃安、芯聚能簽署了三方戰(zhàn)略合作協(xié)議，全面啟動(dòng)在SiC電驅(qū)系統(tǒng)業(yè)務(wù)上的合作，進(jìn)一步鞏固了其在新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈中的地位。

2023年，博世投資超10億美元，在蘇州建設(shè)新能源汽車核心部件及自動(dòng)駕駛研發(fā)制造基地(蘇州第五廠)。

博世蘇州五廠 圖/博世蘇州

其中，SiC功率模塊生產(chǎn)基地的落成，不僅提升了博世在全球SiC功率模塊制造領(lǐng)域的影響力，還顯著增強(qiáng)了其在中國(guó)市場(chǎng)的響應(yīng)速度。

通過全球布局與本土化戰(zhàn)略的結(jié)合，博世進(jìn)一步鞏固了其在SiC領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力，為其在新能源汽車市場(chǎng)的持續(xù)領(lǐng)先地位奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

發(fā)揮溝槽技術(shù)優(yōu)勢(shì) 搶占8英寸高地

博世在SiC功率模塊領(lǐng)域的發(fā)力，主要得益于兩大核心優(yōu)勢(shì)：

獨(dú)特的業(yè)務(wù)整合能力：SiC功率模塊主要應(yīng)用于汽車市場(chǎng)。

博世集團(tuán)集汽車系統(tǒng)和半導(dǎo)體業(yè)務(wù)于一體，這種垂直整合模式在整個(gè)市場(chǎng)中具有顯著優(yōu)勢(shì)，能夠更好地滿足新能源汽車對(duì)高性能功率半導(dǎo)體的需求。

領(lǐng)先的溝槽技術(shù)： 博世憑借其專利的溝槽技術(shù)，在碳化硅芯片性能上實(shí)現(xiàn)了重大突破。

例如，其第二代SiC芯片采用了溝槽工藝，使pitch size降低了30%，單位面積的Rdson減少了30%，Rdsonsp也進(jìn)一步優(yōu)化。相關(guān)產(chǎn)品成功應(yīng)用于小米SU7單電機(jī)版的400V電壓平臺(tái)等車型中。

博世SiC MOSFET 圖/博世汽車電子

這些優(yōu)勢(shì)為博世在SiC功率模塊領(lǐng)域的持續(xù)發(fā)力奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

從整個(gè)行業(yè)來看，根據(jù)Wolfspeed報(bào)告，8英寸SiC襯底裸片數(shù)量比6英寸提高了近90%，邊緣裸片數(shù)量占比從14%降低至7%。

然而，TrendForce集邦咨詢研究數(shù)據(jù)表明，目前8英寸的產(chǎn)品市占率不到2%，但預(yù)測(cè)2027年市場(chǎng)份額將成長(zhǎng)到20%左右。

目前，博世8英寸樣品已交付客戶，并獲得了積極反饋。

其美國(guó)羅斯威爾工廠預(yù)計(jì)于2026年投產(chǎn)，屆時(shí)將與其他工廠協(xié)同合作，形成靈活高效的供應(yīng)體系，進(jìn)一步鞏固博世在SiC功率模塊領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

小結(jié)

新能源汽車的快速發(fā)展為SiC功率模塊帶來了廣闊的市場(chǎng)前景。作為行業(yè)領(lǐng)先企業(yè)，博世加碼布局SiC功率模塊，有望進(jìn)一步提升其競(jìng)爭(zhēng)力。

然而，當(dāng)前SiC產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)日趨激烈。功率器件巨頭如意法半導(dǎo)體、英飛凌、士蘭微、方正微電子等，都在積極推進(jìn)8英寸晶圓轉(zhuǎn)型，通過降本增效來增強(qiáng)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

在這一背景下，博世要想在激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中脫穎而出，仍需持續(xù)加大技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)能布局的投入，以鞏固其行業(yè)領(lǐng)先地位。

本文為嗶哥嗶特資訊原創(chuàng)文章，未經(jīng)允許和授權(quán)，不得轉(zhuǎn)載，