前言

傳統氮化鎵驅動設計中，氮化鎵功率器件和驅動電路分離，驅動電路需要單獨進行設計，集成度低，設計復雜，同時氮化鎵功率器件和驅動器之間的走線會產生寄生電感和寄生電阻，可能會導致開關損耗增加、振鈴現象、誤導通等問題，影響電路的性能和穩定性，需要多次調整PCB布局和布線來盡量減小其影響。

最近充電頭網了解到，梵塔推出一款半橋GaN，型號為FCG65N150QF，其內部集成半橋驅動器、GaN晶體管以及自舉二極管，直接降低開關損耗和寄生參數影響，易于開發設計，且能夠實現更優的系統性能。

梵塔FCG65N150QF半橋GaN

梵塔FCG65N150QF氮化鎵合封器件創新性地集成了半橋驅動器、兩個對稱半橋配置的650V耐壓、150mΩ導阻的GaN晶體管，同時將自舉二極管一并內置，外圍精簡，大幅削減了占板空間，并從根源上削弱了寄生效應對電路性能的影響。

FCG65N150QF具備無反向恢復損耗的優良特性，且開關延遲短，匹配誤差小。芯片內置穩壓器，低高兩側均配備UVLO保護功能，助力芯片的穩定工作，提升內置GaN工作效率，確保系統安全、高效運轉。此外，該芯片支持可編程死區時間，用戶能夠依據實際產品需求精準、靈活配置，有效提升了使用的便利性與適配性。

該芯片擁有工業級別的-40~125℃的耐受區間，搭配緊湊的QFN 9×9mm封裝，結構緊湊且受惡劣環境影響小。憑借此優勢，該產品能廣泛且適配地應用于半橋、全橋、LLC以及AHB電路，以及對體積要求苛刻的高功率密度PD適配器、筆電適配器等多種場景。

充電頭網總結

梵塔此次新推出的FCG65N150QF器件亮點十足，其高度集成的設計，為電源設計領域帶來前沿的半橋氮化鎵解決方案。

該半橋GaN驅動器集成半橋驅動器、兩個650V耐壓150mΩ導阻的GaN晶體管及自舉二極管，具備無反向恢復損耗、短暫開關延遲、小匹配誤差等優勢，可以廣泛適用于多種對體積有嚴苛要求的高功率密度適配器場景。

充電頭網了解到，梵塔以解決客戶的系統應用問題為基礎，結合數字和模擬的優點，專注于研發數字化，智能化和模塊化的高端節能電源管理芯片及方案，致力于幫助客戶實現高頻，高效和高功率密度的開關電源設計,助力實現高效電能轉換和“雙碳”目標。產品包含AC-DC, DC-DC及功率模塊，電池管理等，應用于服務器電源，基站電源，TV電源和新能源等，覆蓋工業及消費電子。 產品工藝覆蓋700V UHV和40V~100V BCD等。

梵塔擁有完整的研發團隊，豐富的數模電源管理產品開發經驗及各種IP。公司一直以研發行業新技術，新產品為宗旨，積極開展各項創新工作。到目前為止，已撰寫和申請了30+發明專利和實用型新型專利，已獲得國家知識產權局授權發明專利6項，實用型新型專利2項。