混合鍵合競賽升溫：長江存儲專利領先，韓廠奮起直追

隨著HBM4和高層NAND的開發步入加速階段，混合鍵合技術（Hybrid Bonding）正日益成為先進封裝領域的關鍵突破口。相比傳統的熱壓鍵合或微凸點互聯，混合鍵合通過原子級對準實現更薄堆疊、更低能耗、更高帶寬和更優良率，尤其適用于高帶寬存儲（HBM）和3D NAND的高層堆棧需求。

中國長江存儲專利布局領先全球

據《ZDNet》援引法國專利分析機構KnowMade的數據，中國長江存儲科技股份有限公司（YMTC）在2017年至2024年初之間，公開了119項與混合鍵合相關的專利，在全球范圍內遙遙領先。相比之下，三星電子自2015年起累計申請相關專利僅83項，而SK海力士自2020年開始布局至今，僅披露了11項專利。

不僅如此，據報道，三星電子近期已與YMTC簽署授權協議，獲得其混合鍵合技術的使用許可，計劃在下一代NAND芯片中正式采用該技術。這一舉措被認為是對YMTC專利壁壘的“間接承認”，并反映出該領域內中國產業鏈在關鍵工藝技術上的突圍。

YMTC自2019年起已量產混合鍵合技術下的Xtacking架構NAND芯片，采用晶圓對晶圓（W2W）鍵合方式，將存儲單元和外圍電路分別制造于不同晶圓上，隨后高精度鍵合形成完整芯片，已形成商業規模出貨能力。

韓企加碼研發，應對專利壓力

面對專利差距和市場需求雙重壓力，韓國存儲器巨頭正加速混合鍵合技術研發與布局。據《Sedaily》報道，三星計劃于2024年底前量產12層HBM4，并積極研究混合鍵合方案。同時，該公司正與其設備子公司SEMES合作推進關鍵工藝設備研發，以期構建更具競爭力的自有技術體系。

SK海力士方面也在評估在未來的HBM4 16hi堆棧產品中引入混合鍵合方案，并已明確將在HBM5 20hi堆棧產品中采用該技術，以解決傳統TC（Thermal Compression）鍵合在高層堆疊中面臨的良率挑戰。

技術趨勢轉向先進封裝核心

市場研究機構TrendForce指出，隨著AI、高性能計算（HPC）和數據中心對高帶寬、高能效存儲解決方案需求持續上升，HBM產業鏈對混合鍵合等先進封裝技術的關注度正快速上升。

同時，業內廣泛認為，混合鍵合將成為HBM5及未來HBM6產品的標準技術路徑。由于該工藝在連接密度、信號完整性和熱性能方面的優勢，預計將在未來數年成為半導體3D集成的主流工藝。