新 聞1：三星正在爭取英偉達2nm訂單，用于生產下一代GPU

近日三星在韓國首爾舉行的SAFE 2025活動上，三星表示1.4nm工藝從2027年延后至2029年量產，計劃將重點放在2nm制程節點，希望通過優化2nm工藝的性能和能耗表現，提高良品率，使其更適合業界使用。同時還展示了第三代2nm工藝，稱為“SF2P+”，打算兩年內推出。

據Wccftech報道，三星正在積極地為2nm工藝尋找客戶，其中就有英偉達，將2nm工藝用于下一代GPU，包括消費端及AI加速器使用的芯片。隨著近期三星生產Nintendo Switch 2中使用的芯片，逐漸贏回英偉達的信任。由于臺積電（TSMC）產能有限，加上價格昂貴，芯片行業迫切需要另一個解決方案，而三星半導體制程技術路線圖的轉變似乎來得正是時候。

現在最大的問題仍然三星在2nm工藝上的良品率，這也是其過去幾年丟失大量先進工藝代工訂單的主要原因之一。以目前的情況來看，如果今年三星能穩步提高2nm工藝的良品率，那么有望在今年年底前達到適合量產的標準。

高通在更早之前就開始與三星就2nm訂單進行了談判，目標是生產第二代驍龍8至尊版，已經在進行測試。傳聞第二代驍龍8至尊版芯片有兩個版本，基本版本采用臺積電3nm工藝，另外一個則采用三星SF2工藝。

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哥你回頭看看我，我比隔壁臺積電便宜多了！三星和NVIDIA其實算是老合作了，但也是被坑過的，想當年30系真的很慘，產能爬坡也慢，3090也是唯一一款被AMD打贏了的XX90顯卡，不知道有三星的多少鍋。

不過現在這個全面領先的NVIDIA，可能確實不在意這點問題了，畢竟對手怎么都是打不過的，更重要的是更低的成本賺更多的錢，還倒真有可能再回頭用這便宜的三星代工。

新 聞 2： 臺積電準備新一代CoPoS封裝技術，最快2028年末量產，英偉達或是首個客戶

近年來，臺積電（TSMC）除了積極投資先進制程節點，以保證競爭優勢外，還逐步加大了在封裝技術方面的投入力度，以滿足新一代人工智能（AI）和高性能計算（HPC）芯片的需求。英偉達首席執行官黃仁勛曾表示，臺積電可以提供非常先進的封裝技術，暫時沒有其他選擇。

據TECHPOWERUP報道，臺積電正在準備新一代CoPoS（Chip-on-Panel-on-Substrate）封裝技術，可以將基板尺寸擴展到310 × 310 mm甚至更大。新技術就是將中介層“面板化”，屬于現有CoWoS-L和CoWoS-R的方形面板演進，將傳統的圓形晶圓替換為矩形基板。

臺積電計劃2026年建造一條CoPoS試點生產線，2027年將重點改進工藝，以便滿足合作伙伴的要求。臺積電計劃2028年年底至2029年年初實現CoPoS的量產工作，位于中國臺灣嘉義的AP7工廠由于現代化的基礎設施和寬敞的空間而被選中，成為CoPoS先進封裝技術的生產中心。

與FOPLP（扇出型面板級封裝）一樣，CoPoS（基板上面板芯片封裝）也采用大型面板基板進行封裝，不過兩者存在一些差異。FOPLP是一種不需要中介層的封裝方法，芯片直接重新分布在面板基板上，并通過重分布層（RDL）互連。這種方法具有成本低、I/O密度高、外形尺寸靈活等優勢，適用于邊緣AI、移動設備和集成密度適中的中端ASIC等應用。CoPoS則引入了中介層，從而有著更高的信號完整性和穩定的功率傳輸，對于集成GPU和HBM芯片的高端產品來說效果更好。同時中介層材料正從傳統的硅變為玻璃，將提供更高的成本效益和熱穩定性。

預計未來CoPoS將取代CoWoS-L，而英偉達很可能會是首個合作伙伴。

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但是代工可能省錢，先進3D封裝工藝的錢省不掉，臺積電給挖的坑一個又一個啊。目前最先進的CoWoS封裝就是臺積電獨有的技術，現在下一代先進封裝CoPoS也即將問世了，據傳將在2028年進行生產。臺積電的目標客戶之一就是NVIDIA，現在也是CoWoS的大客戶，看來新產品的成本也不會低呀……

新 聞3： 由于High-NA EUV需求下降，投資機構下調了ASML的目標股價

2023年末，ASML向英特爾交付了首臺High-NA EUV光刻機，型號為TWINSCAN EXE:5000的系統。業界普遍認為，High-NA EUV光刻技術將在先進芯片開發和下一代處理器的生產中發揮關鍵作用。不過這種情況最近似乎發生了變化，各個晶圓代工廠都在減少對High-NA EUV依賴，并且延后引入新技術的時間。特別是最近來自英特爾董事的發言，讓市場對High-NA EUV的前景產生了更多的疑問。

據Wccftech報道，近期有投資機構開始下調了ASML的目標股價，從每股795歐元降至759歐元，意味著每股收益將減少大概5%，原因就是High-NA EUV需求放緩，同時也調低了ASML在2026年和2027年的收益預期。不過對ASML股票的評級并沒有改變，仍堅持“買入”評價。

按照那位不愿意透露姓名的英特爾董事的說法，新的晶體管設計，比如如GAAFET和CFET，可以降低光刻機在芯片制造過程中的重要性。這些設計是從四面“包裹”柵極，芯片制造商將更多地關注通過蝕刻來去除多余材料，而不是增加晶圓在光刻機上花費的時間來減小特征尺寸。隨著芯片制造中橫向方向的重要性日益增加，High-NA EUV的重要性相比于EUV就沒那么重要了。

從長遠來看，人工智能（AI）浪潮帶動了芯片產業的發展，投資機構對ASML產品的長期需求仍保持樂觀，因為這些芯片普遍采用最新的半導體制造技術，市場對光刻設備的需求仍處于上升趨勢。

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不光是需求下降，事實上，從最初交付到現在一年多，根本沒有使用High-NA EUV量產的芯片，近期Intel也表達了High-NA EUV光刻技術短期內的非必要性。目前看來，這種言論的影響還是不小的，投資機構下調了ASML的目標股價，High-NA EUV光刻技術的前景也變得撲朔迷離，ASML到底會怎么樣呢？

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