2025年7月3日-5日，第九屆集微半導體大會在上海張江科學會堂盛大舉行。大會以全新視野開啟中國半導體產業交流的新篇章，匯聚全球智慧，共謀產業未來。

7月4日，第三屆集微半導體制造峰會暨產業鏈突破獎頒獎典禮同期召開，本次活動以“新形式下，設備材料企業如何助力國內半導體制造的升級”為主題，圍繞半導體設備材料領域的市場現狀、前沿趨勢、發展瓶頸等重要話題進行探討。

會上，芯棟微（上海）半導體技術有限公司（以下簡稱“芯棟微”）總經理汪賀做了“自主創新國產電鍍設備在新一代工藝和材料應用中的進展”的主題分享。

專注濕法電鍍設備，打破國際技術壁壘

在半導體制造的關鍵環節中，電鍍設備及化學藥液的協同優化對先進工藝的突破至關重要。芯棟微作為國內領先的半導體濕法制程設備供應商，近年來在晶圓級電鍍裝備領域取得顯著突破，并積極探索“設備+藥液”一體化解決方案，推動國產半導體產業鏈的自主可控發展。

汪賀詳細介紹了公司的發展歷程與技術實力。這家成立于2016的高新技術企業，經過近十年的發展，已形成“上海松江總部+浙江海寧生產基地+上海臨港研發中心”的產業布局。公司始終以“打造半導體晶圓級電鍍裝備與化學藥液一體化的工藝服務平臺”為發展使命，通過持續自主創新，成功突破了多項國外技術封鎖，實現了半導體核心設備的國產化替代。

在產品方面，芯棟微具備四大優勢：首先是成功研制出具有完全自主知識產權的全自動ECD/ECP系列設備；其次是建立起覆蓋300mm及以下晶圓的完整工藝解決方案，滿足從研發到量產的全流程需求；第三是構建了完善的知識產權保護體系，形成技術壁壘；最后是開發出靈活的定制化解決方案，可根據不同應用場景提供個性化服務。

目前，芯棟微的產品已成功應用于多個戰略性新興產業領域，包括：高端汽車電子、5G/6G射頻器件、Micro LED顯示、SiC功率器件、MEMS傳感器、光電子芯片、軍工電子、特種半導體以及科研院所等。這些創新成果不僅填補了國內技術空白，更有力推動了我國半導體產業鏈的自主可控進程，為保障國家產業安全提供了重要支撐。

技術突破：設備+藥液協同創新，縮短研發周期

汪賀在演講中深入剖析了電鍍工藝發展的關鍵要素。他指出，電鍍工藝的實現需要設備與藥劑的深度協同，這一特點在國際成功案例中已得到充分驗證——美國產業界通過英特爾（終端用戶）、摩西湖（材料供應商）和LAM（設備制造商）形成的產業聯盟，成功推動了電鍍工藝的突破性發展。

汪賀表示，基于這一產業規律，公司正積極與國內電鍍材料供應商及頭部用戶開展深度合作，這種戰略合作具有雙重價值：一方面，可以突破更多關鍵工藝節點，解決電鍍工藝黑匣子問題，建立快速調整的工藝機制；另一方面，這種合作模式能夠確保產業鏈各環節的自主可控，逐步構建完整的國產化生態體系。

接著，汪賀重點介紹了芯棟微工藝平臺的核心優勢：“我們的自主工藝平臺具備快速驗證能力，能夠為客戶提供高度定制化的解決方案?！彼M一步解釋道，依托公司完整的實驗平臺體系，工藝研發周期可大幅縮短至“天級”——相較傳統依賴終端客戶反饋所需的季度級周期，這一突破性進展完美契合了當前IC產品80-90天的開發節奏要求。更值得一提的是，該平臺不僅能快速完成工藝驗證，更能確保交付的每套解決方案都經過嚴格驗證，為客戶提供可靠的技術保障。

芯棟微的核心競爭力正是源自其卓越的技術管理團隊，這支由行業頂尖專家組成的團隊完美融合了技術創新與產業經驗。芯棟微主要由三位行業專家領銜：公司創始人、總經理汪賀（俄勒岡州立大學碩士，30年半導體設備經驗，曾開發領先的單晶圓清洗設備）；創始人、董事、技術專家董事王溯博士（帝國理工/港科大跨學科專家，主持10余項芯片電鍍技術研發）以及董事長印瓊玲（20年半導體供應鏈管理經驗）。

在這支由行業頂尖專家組成的核心團隊引領下，芯棟微在工藝創新方面取得了顯著突破。目前公司已形成完整的電鍍設備產品矩陣，包括成熟的GSW系列、G3系列以及正在研發的下一代G4系列產品。這些產品展現出四大核心競爭優勢：首先，公司堅持自主創新路線，擁有完全自主知識產權，關鍵零部件實現100%國產化加工，核心模組采用模塊化設計理念，支持快速工藝配置，所用材料和零配件超過99%為非美國供應；其次，設備工藝性能已達到國際領先水平；第三，通過國產設備與國產藥液的協同優化，形成了最佳工藝組合方案；最后，公司在先進工藝研發方面保持前瞻布局，持續引領行業技術發展。這些創新成果充分體現了芯棟微在半導體電鍍設備領域的技術實力和市場競爭力。

HBM技術布局：國產化降本50%，助力AI芯片發展

當前，在人工智能算力需求爆發的時代背景下，高帶寬存儲器（HBM）作為驅動AI芯片發展的核心技術，其制造過程中關鍵的硅通孔（TSV）電鍍工藝正成為產業競爭的重要焦點。全球半導體產業格局中，國際領先廠商已相繼實現HBM2e、HBM3及HBM3e的量產突破，并加速推進下一代HBM4的研發進程。值得關注的是，隨著HBM技術代際升級，電鍍工藝在整體制造成本中的占比呈現指數級增長，這一趨勢使得工藝國產化成為提升產業競爭力的關鍵突破口。

在這一背景下，芯棟微攜手上海新陽創新性地打造了“國產設備+國產藥液”的整體解決方案，實現了重大技術突破。該方案將單片生產成本從進口方案的643元大幅降低至325元，綜合成本降幅達到50%。具體而言，國產電鍍藥液可節省50%的材料成本，國產設備采購成本降低50%，同時在售后服務和關稅等方面再節省50%的支出。

這一突破性進展不僅顯著提升了我國HBM制造工藝的經濟可行性，更重要的是為構建自主可控的AI芯片產業鏈提供了堅實的技術支撐。在當前全球半導體產業格局深刻變革的背景下，芯棟微的創新實踐為我國在高端半導體裝備與材料領域實現進口替代開辟了可行路徑，對保障產業鏈安全具有重要戰略意義。隨著AI算力需求的持續爆發，這項國產化解決方案將為我國在全球HBM產業競爭中贏得更大的發展空間和話語權。

值得關注的是，集微大會同期舉辦了“集微半導體展”，全方位展示了國內外半導體前沿產品技術與趨勢，助力產業各細分領域參展商與現場潛在客戶實現深入交流及高效合作。其中，芯棟微攜旗下InnovaSYS系列晶圓級電鍍全系產品重磅亮相，展示了其在半導體制造關鍵環節的創新實力，吸引了眾多專業觀眾與潛在合作伙伴的關注。

據介紹，SVSTECH全自動ECD/ECP系列支持300mm以及以下晶圓級別研發以及規模化生產和高精度以及重復性互聯金屬膜層電鍍沉積制程。主要工藝指標聚焦與金屬厚度和厚度均勻性和填充效果以及效率并同時加持薄膜特性、缺陷、雜質的工藝性能的關鍵指標。支持半自動或全自動化Recipe和Sequence的靈活編程以及多腔體的模塊化和模組化組合針對不同應用場景和產品性能要求。SYSTECH自主研發專利覆蓋核心電鍍裝置，物理組合條件以及化學條件的工藝方法為客戶交付完整的TurnKeySolution。