固態硬盤的特點就是用電信號擦寫來存儲數據，再具體點，就是閃存芯片的存儲單元通過電信號的充放電來寫入和擦除數據。而閃存片由大量的存儲單元組成，每個存儲單元可以存儲一個或多個bit的信息。也正是因此，如何能在存儲單元內存儲更多的數據，就成為“擴容”的根本所在。然而也正因為如此，每一代技術革新后都需要更精細的電壓控制來區分更多狀態，從而導致更容易磨損和更低的擦寫壽命。SLC之后MLC被批壽命短，TLC出現后頂替了MLC的位置，乃至當下QLC被批判的體無完膚——如今PLC在即，你嫌棄的QLC未來也會變成“香餑餑”。

從SLC到QLC 這都是啥意思？

固態存儲顆粒技術歷經了SLC→MLC→TLC→QLC的轉變，每一次都是幾何式倍增容量空間。那么他們是怎么做到的，又是怎樣影響擦寫壽命的呢？固態硬盤靠閃存芯片來存儲數據，數據的最小存儲單位稱為“cell”，每個cell內存儲多少數據就代表著它屬于哪一種技術類型的顆粒。

SLC(Single-Level Cell)：每個cell存儲1bit數據；

MLC(Multi-Level Cell)：每個cell存儲2bit數據；

TLC(Trinary-Level Cell)：每個cell存儲3bit數據；

QLC(Quad-Level Cell)：每個cell存儲4bit數據；

PLC(Penta-level cell)：每個cell存儲5bit數據。

這些NAND顆粒在物理結構上是由一個個的“塊”來組成的，每個“塊”都有一定的擦除壽命（P/E）。理論上，顆粒擦寫壽命的排名是SLC＞MLC＞TLC＞QLC＞PLC。以TLC 1TB固態為例，假設它的擦寫次數3000次，那么它的全寫入壽命應該是1024GB×3000P/E=3072000GB，假設每天都要寫滿1024GB的數據，那么它的理論全壽命是8.2年——問題是，你會每天寫入1TB的數據嗎？實際上，固態硬盤的殺手根本就不是顆粒壽命。

鄙視鏈的形成 源于固執和盲從

其實每一代新的存儲技術更迭，就會有人帶著風向對新技術口誅筆伐。例如MLC剛剛出現的時候，不管容量提升多少，大家一致的認知就是，“你看，它的擦寫壽命比SLC低多了”——這一傳承時至今日依舊存在，QLC目前承擔了一切的“罵名”。除了理論壽命，還涉及到存儲技術改進帶來的影響，比如3D NAND技術帶來的存儲單元立體化、QLC帶來的超大容量以及寫冗余、甚至是固件算法優化寫入（絕大多數人都忽略的事情），都實實在在提升了存儲顆粒的寫壽命以及性能。你不知道的是，QLC最初僅有100P/E~150P/E，但是經過技術發展，當前QLC已經超過了1000P/E（長江存儲推出的X2-6070第三代QLC 3D NAND擁有4000P/E）。

QLC技術特性：每個存儲單元可存儲4比特數據，帶來超高容量，其更大的寫入冗余空間（預留空間）和更智能的磨損均衡算法，有效彌補了單元自身耐用性較低的缺點，提升了實際使用壽命；

3D NAND：立體堆疊存儲單元，在相同面積內大幅增加容量，降低了單個存儲單元承受的寫入壓力，從而提升了整體芯片的耐用性（壽命）；

固件算法優化：先進的固件通過智能的磨損均衡、垃圾回收和寫入策略（如SLC緩存），顯著減少了實際對底層存儲單元的物理寫入次數（降低寫放大），極大地延長了固態的有效壽命。

PLC 下一個口碑倒霉蛋

PLC顆粒目前的擦寫壽命預計為10P/E~100P/E，遠低于當前QLC的1000P/E水平，但是單顆粒可用容量比QLC提升約20%~25%，適合高容量、讀密集場景——預計它將于2026年開始展露頭角，但是初期因為其技術特點，更適合在數據中心和讀密集型應用（如AI、大數據）上發揮作用，日常家用還需時日優化。

有理由相信，PLC上市后將繼承QLC的衣缽，承擔下所有，容量提升、冗余增加、單位成本降低這些，都抵不過理論壽命降低這一件事——哪怕最能影響固態壽命的是使用環境（溫度、負載）、控制器與固件可靠性，也抵不過這一點。