下一代 PC 內存已在籌備中。DDR6 預計將于 2027 年問世，各大芯片制造商正在為更快、更高效的系統奠定基礎，這將再次提升從游戲設備到 AI 工作負載等各個領域的標準。

DDR6 標準于 2024 年底起草，預計將于 2027 年實現商用。據臺灣行業刊物《商業時報》報道，三星、美光和 SK 海力士的原型設計工作進展順利，目前正將重點轉向控制器開發。據報道，這些公司還在與英特爾和 AMD 合作進行接口測試，預計平臺驗證將于明年開始。

兩家主要的 x86 芯片制造商都計劃在其下一代 CPU 中支持 DDR6，為其在 AI 服務器、高性能計算 (HPC) 系統和高端筆記本電腦中的廣泛應用鋪平道路。據業內人士稱，DDR6 將比 DDR5 帶來重大的架構升級，默認速度從 8800 MT/s 起跳，最高可達 17600 MT/s，是當前 DDR5 官方極限的兩倍。一些報告表明，超頻模塊最終可能達到 21000 MT/s 的速度。

DDR6 的另一個關鍵升級是其多通道架構，具有四個 24 位子通道。與 DDR5 的雙 32 位布局相比，這種設計提高了并行處理、數據流和帶寬效率。然而，這也對模塊 I/O 設計和信號完整性提出了更高的要求。

內存制造商將 CAMM2 定位為 DDR6 的關鍵規格，尤其是在筆記本電腦和其他緊湊型設備中。與傳統的 DIMM 和 SO-DIMM 相比，新的模塊設計有望帶來更佳的性能、更高的容量和更高的效率。華碩和芝奇最近展示了一款以 DDR5-10000 速度運行的 64GB CAMM2 模塊，凸顯了該格式的潛力。

繼 DDR6 草案發布后，聯合電子設備工程委員會 (JEC) 于本月初發布了 LPDDR6 最終草案，使半導體公司、內存制造商和芯片設計人員能夠在統一框架下開始測試和驗證。據韓國媒體 The Guru 報道，高通、聯發科和新思科技已開始為其硬件開發LPDDR6 支持，而多年來一直致力于該標準的三星和 SK 海力士計劃在年底前開始量產 LPDDR6 模塊。