北京
4月8日，士蘭微發布公告，披露其在碳化硅（SiC）業務上的最新成果，涵蓋旗下“士蘭明鎵”與“士蘭集宏”兩大項目線，標志著公司在第三代半導體領域的加速布局與階段性突破。
“士蘭明鎵6英寸SiC功率器件芯片生產線”項目進展：
目前，士蘭明鎵已具備月產9,000片6英寸SiC MOS芯片的產能?；诠咀灾餮邪l的第二代SiC-MOSFET芯片所打造的電動汽車主電機驅動模塊，已在國內四家車企實現累計出貨5萬只，市場反饋良好。隨著產線進一步釋放產能，已實現規模化量產交付。
值得關注的是，公司已完成第四代平面柵SiC-MOSFET芯片的技術開發，其性能指標接近溝槽柵SiC器件水平。相關芯片及功率模塊已送客戶評測，預計將在2025年實現量產上量。
“士蘭集宏8英寸SiC功率器件芯片生產線”項目進展：
截至2024年底，士蘭集宏的8英寸SiC mini line已實現通線。公司第二代SiC芯片已成功在該產線上試流片，其參數表現與6英寸產品一致，且良率明顯提升。
目前，士蘭集宏主廠房及相關建筑已全面封頂，正處于潔凈室裝修階段，預計2025年第四季度全面通線并進入試生產階段，搶占2026年快速增長的車用SiC市場。
戰略展望：
士蘭微表示，面對國家政策持續支持及新能源汽車、新能源、算力、通信等下游行業的高速發展，公司將加快推進“一體化”戰略，持續加大在模擬電路、功率半導體、MEMS傳感器以及包括SiC、GaN在內的第三代化合物半導體領域的研發投入。
未來，公司將聚焦汽車、新能源、工業控制、通信、大型家電和電力電子等中高端市場，深化系統創新與技術整合，提升產品附加值與品牌影響力，推動營收與效益持續增長，為推動國家集成電路產業發展貢獻力量。
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