庚款留學生計劃延續(xù)階段背景：

1929年庚款停付，因美國經(jīng)濟大蕭條及中國抗議不平等條約，美國暫停支付庚款。清華基金運作，截至1929年，清華基金本金約1,000萬美元（含前期結余及投資收益），仍以利息資助留學生至1949年。資助模式：1930年起，清華基金資助范圍擴大至非庚款項目，包括理工科公費生、抗戰(zhàn)時期專項獎學金等，留學生出國不單單是去往美國，其它西方國家也有。

本文介紹延續(xù)階段（1929-1949年）的，也希望大家把知道的其他先輩留言在評論區(qū)，讓更多人知道。喜歡的朋友，辛苦您們關注一下，多多支持，謝謝！

代表人物：回國參與新中國建設的

錢學森（1911-2009）

錢老和毛主席

籍貫：浙江杭州，留學：麻省理工學院（航空工程碩士，1936）、加州理工學院（航空與數(shù)學博士，1939，師從馮·卡門）

1935年以清華公費生資格赴美，由清華基金資助，歷經(jīng)千辛萬苦回到祖國，參與主導祖國的國防建設。錢老的偉大和貢獻無需多言。

中國航天之父：1956年創(chuàng)建國防部第五研究院，領導“兩彈一星”工程，主持東風系列導彈、長征火箭研制。工程控制論奠基：1954年著《工程控制論》，奠定自動化理論基礎。

錢三強（1913-1992）

錢三強先生

籍貫：浙江湖州，留學：巴黎大學居里實驗室（核物理博士，1940）

貢獻：中國原子能科學奠基，1948年歸國后籌建近代物理研究所（中國原子能科學研究院前身），領導鈾同位素分離研究。兩彈一星核心,1955年參與蘇聯(lián)援建反應堆談判，為核武器研制奠定基礎。

錢偉長（1912-2010）

錢偉長先生

籍貫：江蘇無錫，留學：多倫多大學（應用數(shù)學博士，1942）

1939年以清華基金“西南聯(lián)大專項”資助赴加。

貢獻：中國力學與應用數(shù)學奠基人，1946年提出“錢偉長方程”，解決板殼內(nèi)稟統(tǒng)一理論難題。教育革新，1952年創(chuàng)建清華大學力學研究班，培養(yǎng)首批工程力學人才。

王大珩（1915-2011）

王大珩先生與夫人在主席故居合影

籍貫：江蘇吳縣，留學：倫敦大學帝國理工學院（光學博士，1942）

1938年以清華基金“抗戰(zhàn)科技專項”資助赴英。

貢獻：中國光學之父，1952年創(chuàng)建長春光機所，研制中國首臺電子顯微鏡（1958年）。“兩彈一星”光學系統(tǒng)，1964年為原子彈試驗設計高速攝影機，精確記錄爆炸過程。

趙忠堯（1902-1998）

趙忠堯先生

籍貫：浙江諸暨，留學：加州理工學院（物理學博士，1930，師從密立根）

貢獻：中國核物理開拓者，1930年發(fā)現(xiàn)正電子湮滅現(xiàn)象（早于安德森，但因論文延遲發(fā)表未獲諾獎）。加速器研制：1955年主持建成中國首臺質(zhì)子靜電加速器（700 keV）。

彭桓武（1915-2007）

彭桓武先生

籍貫：湖北麻城，留學：愛丁堡大學（理論物理博士，1941，師從馬克斯·玻恩）

貢獻：核反應堆理論先驅(qū)，1947年提出“中子擴散方程改進模型”，用于中國首座實驗堆設計。

氫彈理論突破：1960年代主導“于敏-彭桓武模型”，突破熱核材料燃燒難題。

郭永懷（1909-1968）

郭永懷先生解答研究生提問

籍貫：山東榮成，留學：多倫多大學（應用數(shù)學碩士，1941）、加州理工學院（空氣動力學博士，1945，師從馮·卡門）

1940年獲清華基金“抗戰(zhàn)科技專項獎學金”。

貢獻：核武器空氣動力學突破，1963年解決原子彈內(nèi)爆動力學難題，確保首次核試驗成功（1964）。高速空氣動力學奠基，1958年創(chuàng)建中國科學院力學研究所激波管實驗室。

黃緯祿（1916-2011）

黃緯祿先生

籍貫：安徽蕪湖，留學：倫敦大學帝國理工學院（無線電碩士，1945）

貢獻：中國導彈控制系統(tǒng)奠基人，1956年設計“東風-1”導彈慣性制導系統(tǒng)，實現(xiàn)首次全程試射（1960）。潛射導彈突破，1982年領導“巨浪-1”水下發(fā)射成功，技術方案沿用至今。

王淦昌（1907-1998）

王淦昌先生

籍貫：江蘇常熟，留學：柏林大學（核物理博士，1934，師從邁特納）

1930年考取清華公費生

貢獻：中微子探測方案提出者，1941年發(fā)表《關于探測中微子的建議》，國際學界稱“王淦昌-艾倫實驗”。兩彈一星核心，1961年領導原子彈爆轟試驗，驗證內(nèi)爆法可行性。

陳能寬（1923-2016）

陳能寬先生（右二）在實驗室

籍貫：湖南慈利，留學：耶魯大學（金屬物理學博士，1947）

1943年考取清華公費生

貢獻：原子彈金屬物理突破，1962年解決鈾部件冷加工難題，確保核材料加工精度。爆轟物理實驗，1963年領導“17號工地”實驗，驗證內(nèi)爆法可行性。

張光斗（1912-2013）

張光斗先生年輕照

籍貫：江蘇常熟，留學：加州大學伯克利分校（水利工程碩士，1937）、哈佛大學（工程力學碩士，1945）

1934年考取清華公費生后赴美，由清華基金資助。

貢獻：中國水利水電工程先驅(qū)，1958年主持設計密云水庫，首創(chuàng)“寬縫重力壩”技術。三峽工程論證，1980年代提出“分期開發(fā)、蓄清排渾”方案，解決泥沙淤積難題。

張維（1913-2001）

張維先生

籍貫：北京，留學：柏林工業(yè)大學（工程力學博士，1938）

貢獻：中國工程力學奠基人，1946年創(chuàng)立清華大學力學系，編寫首部中文《彈性力學》教材（1947）。武漢長江大橋顧問，1955年提出“薄殼結構優(yōu)化方案”，節(jié)省鋼材15%。

侯祥麟（1912-2008）

侯祥麟先生青年照

籍貫：廣東汕頭，留學：麻省理工學院（化學工程博士，1945）

1939年以清華基金“西南聯(lián)大專項”資助赴美。

貢獻：中國石油化工奠基人，1956年主持蘭州煉油廠設計。催化裂化技術突破，1965年研發(fā)“小球硅鋁催化劑”，使汽油收率提高20%。

金善寶（1895-1997）

金善寶先生

籍貫：浙江諸暨，留學：康奈爾大學（農(nóng)學碩士，1932）

1930年獲清華基金農(nóng)科專項資助。

貢獻：中國小麥育種之父，1942年育成“中大2419”抗銹病小麥，推廣至全國，增產(chǎn)30%。農(nóng)業(yè)教育，1952年創(chuàng)建北京農(nóng)業(yè)大學農(nóng)學系，制定首部全國作物育種課程大綱。

唐敖慶（1915-2008）

唐敖慶先生

籍貫：江蘇宜興，留學：哥倫比亞大學（量子化學博士，1949）

1940年考取清華公費生。

貢獻：中國量子化學開創(chuàng)者，1952年提出“分子軌道對稱守恒原理”，比福井謙之早7年。高等教育改革，1956年主持制定全國首份《物理化學教學大綱》。

費孝通（1910-2005）

費孝通先生

籍貫：江蘇吳江，留學：倫敦政治經(jīng)濟學院（社會人類學博士，1938，師從馬林諾夫斯基）

貢獻：中國社會學田野調(diào)查開創(chuàng)者，1939年著《江村經(jīng)濟》，首次用人類學方法研究中國鄉(xiāng)村。民族識別工程，1950年代主導中國少數(shù)民族社會歷史調(diào)查，確立56個民族分類框架。

季羨林（1911-2009）

季羨林先生

籍貫：山東臨清，留學：哥廷根大學（梵文博士，1941）

貢獻：印度學與佛學研究權威，1944年校勘《大唐西域記》，還原玄奘西行路線。文化遺產(chǎn)保護，1950年代力主敦煌文獻回歸，促成蘇聯(lián)、德國歸還部分藏品。

湯飛凡（1897-1958）

湯飛凡先生

籍貫：湖南醴陵，留學：哈佛大學醫(yī)學院（微生物學博士，1935）

貢獻：沙眼病原體發(fā)現(xiàn)者，1955年分離出沙眼衣原體（Chlamydia trachomatis），終結國際學界爭論。抗戰(zhàn)疫苗生產(chǎn)，1944年在昆明建立青霉素實驗廠，年產(chǎn)疫苗20萬支供應前線。

童第周（1902-1979）

童第周先生

籍貫：浙江鄞縣，留學：布魯塞爾大學（生物學博士，1934）

貢獻：細胞遺傳學奠基人，1936年完成世界首例魚類細胞核移植實驗，比“克隆技術”早30年。海洋生物學開拓，1950年代創(chuàng)建中國科學院海洋研究所，主導中國首輪海洋綜合考察。

黃汲清（1904-1995）

黃汲清先生

籍貫：四川仁壽，留學：瑞士蘇黎世大學（地質(zhì)學博士，1936）

1932年考取清華公費生。

貢獻：陸相生油理論奠基，1943年提出“多旋回構造學說”，指導發(fā)現(xiàn)克拉瑪依油田（1955）。地質(zhì)填圖標準，1950年主持編制中國首套1:300萬地質(zhì)圖。

張香桐（1907-2007）

張香桐先生

籍貫：河北正定，留學：耶魯大學（神經(jīng)生理學博士，1946）

資助背景：1940年以清華基金“生物專項”資助赴美。

貢獻：中國神經(jīng)生理學奠基人，1956年發(fā)現(xiàn)“光強化效應”，國際學界稱“張氏效應”。針刺麻醉研究，1965年揭示針刺鎮(zhèn)痛神經(jīng)機制，推動中西醫(yī)結合。

羅沛霖（1913-2011）

羅沛霖先生與夫人

籍貫：天津，留學：加州理工學院（電機工程博士，1948）

1938年考取清華公費生。

貢獻：中國電子工業(yè)奠基人，1956年主持建成北京電子管廠（774廠），生產(chǎn)首只國產(chǎn)電子管。半導體技術突破，1965年領導研制中國首塊集成電路（SSI）。

嚴東生（1918-2016）

嚴東生先生

籍貫：浙江杭州，留學：伊利諾伊大學（材料學博士，1949）

1946年考取清華公費生。

貢獻：高溫陶瓷材料突破，1962年研制出火箭噴管用碳-石英復合材料，耐溫達3000℃。人工晶體研究，1970年代領導生產(chǎn)出大尺寸氟化鋇晶體，用于激光核聚變實驗。