山東
IT之家 6 月 20 日消息，韓媒 sisajournal-e 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日?qǐng)?bào)道稱，三星電子正積極推進(jìn)現(xiàn)有較舊 NAND 閃存生產(chǎn)設(shè)施向目前最先進(jìn)的第九代 V-NAND（IT之家注：286 層）轉(zhuǎn)換。
▲ 三星電子 V9 QLC NAND
報(bào)道指出，三星目前正為其韓國(guó)平澤 P1 晶圓廠的 NAND 產(chǎn)能從 V6 更新至 V9 進(jìn)行設(shè)備投資，并考慮將中國(guó)西安 X2 晶圓廠從目前的 V7 / V8 升級(jí)至 V9，旨在應(yīng)對(duì) AI 服務(wù)器對(duì)高容量 QLC 企業(yè)級(jí) SSD 需求短暫低潮后的復(fù)蘇。
不過(guò)，三星電子放緩了下一代 400+ 層 NAND 閃存工藝 V10 的量產(chǎn)進(jìn)度，這與超低溫蝕刻技術(shù)導(dǎo)入遇阻有關(guān)，可能導(dǎo)致 V10 NAND 量產(chǎn)線的投資建設(shè)計(jì)劃延至 2026 年上半年。
特別聲明：以上內(nèi)容(如有圖片或視頻亦包括在內(nèi))為自媒體平臺(tái)“網(wǎng)易號(hào)”用戶上傳并發(fā)布，本平臺(tái)僅提供信息存儲(chǔ)服務(wù)。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
