浙江
據(jù) TrendForce 援引 Sedaily 報道，三星在其先進內(nèi)存技術(shù)方面取得了更佳的成果。該公司第六代 10 納米 DRAM（稱為 1c DRAM）的測試良率目前已達到 50% 至 70%，較去年不到 30% 的良率有了顯著提升。
三星與其競爭對手走上了不同的道路。SK海力士和美光堅持使用 1b DRAM 技術(shù)生產(chǎn) HBM4 產(chǎn)品，而三星則選擇生產(chǎn)更新的 1c DRAM。這種選擇風(fēng)險更大，但也有可能帶來更大的回報，因為生產(chǎn)率的提高使三星能夠擴大其制造業(yè)務(wù)。該公司計劃在其華城和平澤工廠提高 1c DRAM 的產(chǎn)量，預(yù)計擴產(chǎn)活動將于今年年底前開始。
這些進展也支持了三星的 HBM4 生產(chǎn)計劃，因為該公司計劃在今年晚些時候開始量產(chǎn) HBM4 產(chǎn)品。然而，業(yè)內(nèi)專家指出，該產(chǎn)品仍處于早期階段，需要持續(xù)關(guān)注。
三星原計劃于2024年底開始量產(chǎn)第六代10納米DRAM。然而，該公司選擇重新設(shè)計芯片。這一決定導(dǎo)致芯片生產(chǎn)延遲了一年多，但其目的是為了實現(xiàn)更高的性能和良率。新的DRAM產(chǎn)品將在三星平澤4號線工廠生產(chǎn)，因為這些芯片將同時用于移動和服務(wù)器應(yīng)用。此外，HBM4相關(guān)的生產(chǎn)將在平澤3號線工廠進行。
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