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根據(jù)KeyBanc Capital Markets的報(bào)告，臺(tái)積電的N2制程目前表現(xiàn)出卓越的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。 截至2025年中期，臺(tái)積電的N2制程良率大約達(dá)到65%，這項(xiàng)數(shù)據(jù)顯著的超越了其主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，這使得臺(tái)積電在全球晶圓代工領(lǐng)域持續(xù)保持領(lǐng)導(dǎo)地位。

報(bào)告指出，為了鞏固并擴(kuò)大這一領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，臺(tái)積電正持續(xù)投入于N2制程的良率提升工作，公司目標(biāo)是在2026年前將N2制程良率進(jìn)一步提升至接近75%的水平。 為達(dá)成此一目標(biāo)，臺(tái)積電的制程工程師們正積極解決多項(xiàng)技術(shù)挑戰(zhàn)，包括多重圖案極紫外光（EUV）曝光中的拼接（stitching）問(wèn)題與疊對(duì)（overlay）控制。 這些技術(shù)改進(jìn)對(duì)于確保晶圓上的電路圖案精確對(duì)準(zhǔn)至關(guān)重要，直接影響最終產(chǎn)品的良率與性能。

（圖片來(lái)源： pixabay ）

此外，臺(tái)積電還在進(jìn)行工具與制程層面的全面優(yōu)化，例如部署先進(jìn)的薄膜（pellicle）以減輕光罩顆粒污染的影響。 這些細(xì)致入微的優(yōu)化措施，共同推動(dòng)N2制程的良率向更高點(diǎn)邁進(jìn)，確保臺(tái)積電在未來(lái)的芯片制造市場(chǎng)中保持強(qiáng)勁的競(jìng)爭(zhēng)力。

相較于臺(tái)積電，英特爾的Intel 18A制程良率目前位居第二，進(jìn)步幅度也令人矚目。 截至報(bào)告發(fā)布之際，Intel 18A制程的良率為55%。 值得注意的是，這一數(shù)字反映了其在前一季50%的良率基礎(chǔ)上達(dá)成了顯著改善的目標(biāo)，這代表英特爾在制程優(yōu)化和缺陷減少方面取得了積極成效。

英特爾的未來(lái)發(fā)展路線，包含了一系列雄心勃勃的計(jì)劃。其中，預(yù)計(jì)Panther Lake處理器將在2025年底前開(kāi)始使用Intel 18A制程進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。報(bào)告預(yù)期，通過(guò)持續(xù)的制程優(yōu)化和缺陷減少措施，英特爾有潛力將Intel 18A制程的良率推升至65%至75%的范圍內(nèi)。 如果這一改進(jìn)能實(shí)現(xiàn)，將使英特爾的良率超越三星。

展望更遠(yuǎn)的未來(lái)，英特爾已規(guī)劃在2026年下半年推出Intel 18A-P的改良版，此版本將專為大量晶圓代工客戶量身訂制。 Intel 18A-P 的技術(shù)增強(qiáng)將牽涉修改光罩，以及進(jìn)一步的鰭片邊緣平滑處理，這些措施目的減少圖案錯(cuò)誤和缺陷。 如果Intel 18A-P制程能夠維持與原本Intel 18A制程相當(dāng)?shù)牧悸剩袌?chǎng)對(duì)英特爾晶圓代工業(yè)務(wù)的預(yù)期將顯著提升。

報(bào)告強(qiáng)調(diào)，盡管業(yè)界有傳聞表示，英特爾可能加速其發(fā)展路線，跳過(guò)Intel 18A-P直接進(jìn)入Intel 14A制程，但報(bào)告認(rèn)為，這種情況發(fā)生的可能性不大。 報(bào)告指出，Intel 18A-P相對(duì)于臺(tái)積電N2制程的競(jìng)爭(zhēng)力，以及Intel 14A制程預(yù)計(jì)在2027年底，或2028年初才能開(kāi)始生產(chǎn)的時(shí)間點(diǎn)，都使得跳過(guò)節(jié)點(diǎn)的策略既充滿風(fēng)險(xiǎn)，又具作復(fù)雜性。 這代表英特爾更傾向于穩(wěn)健的推進(jìn)其既定路線，逐步提升技術(shù)成熟度與良率。

最后，與臺(tái)積電和英特爾形成鮮明對(duì)比的是，三星的2納米制程。 其代號(hào)為 SF2 的制程技術(shù)尚未展現(xiàn)出有意義的良率提升。 目前，SF2的產(chǎn)量大約保持在40%的水平，這遠(yuǎn)低于臺(tái)積電和英特爾的水平。 報(bào)告將三星SF2良率表現(xiàn)不佳歸因于多重因素，包括晶圓級(jí)缺陷問(wèn)題，以及EUV圖案化能力的緩慢提升。

三星的下一代2納米節(jié)點(diǎn)制程目前預(yù)計(jì)在2027年初推出，然而，為了保持在先進(jìn)制程領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力，三星將需要在此之前達(dá)到實(shí)質(zhì)性的良率提升，這對(duì)于三星而言是一項(xiàng)艱巨的任務(wù)。 因?yàn)槠洳粌H需要解決當(dāng)前的技術(shù)瓶頸，還需加速EUV相關(guān)的產(chǎn)能建設(shè)與良率優(yōu)化，才有機(jī)會(huì)能迎頭趕上臺(tái)積電和英特爾的腳步。

總而言之，截至2025年中期，臺(tái)積電的N2制程以65%的良率遙遙領(lǐng)先，并設(shè)定了更高的良率目標(biāo)。 英特爾的Intel 18A制程正迅速追趕，良率達(dá)到55%，并通過(guò)其路線展現(xiàn)出在未來(lái)達(dá)到與臺(tái)積電相近水平的潛力。至于，三星的SF2制程則面臨嚴(yán)峻的良率挑戰(zhàn)，僅為40%，其未來(lái)競(jìng)爭(zhēng)力將取決于能否在短期內(nèi)實(shí)現(xiàn)顯著的技術(shù)突破和良率提升。 這場(chǎng)先進(jìn)制程良率的競(jìng)賽仍在持續(xù)進(jìn)行，其結(jié)果將深刻影響全球科技產(chǎn)業(yè)的格局和未來(lái)發(fā)展。

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