鐵電存儲器FRAM是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲器。融合了在斷電的情況下也能保留數據的非易失性、隨機存取兩個特長的鐵電隨機存儲器。鐵電存儲器FRAM的數據保持，不僅不需要備用電池，而且與EEPROM、FLASH等傳統的非易失性存儲器相比，具有優越的高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。

鐵電存儲器FRAM四個重要特長

非易失性

1）電源關閉時存儲的數據不會消失

2）下電時不需要備用電池來保留數據

快速寫入速度

1）啟用無需擦除操作即可覆蓋數據

2）無需等待時間進行擦除/寫入操作

高讀/寫耐久性

1）保證10萬億 (1013) 讀/寫周期

2）是EEPROM讀寫耐久性的1000萬倍

低功耗

1）沒有用于寫操作的升壓電路

2）比EEPROM減少92％的寫入功耗

3）沒有為保持數據而需要的數據保持電流

鐵電存儲器有哪些產品類型：

串行接口存儲器的產品陣容有：

16Kbit至4Mbit的SPI接口產品

以及4Kbit至1Mbit的I2C接口產品

使用TSOP或SOP封裝形式提供256Kbit至4Mbit的并行存儲器

嵌入鐵電RFAM的RFID芯片

MB97R8120、MB97R8050、MB89R118C、MB89R119B、MB89R112

驗證用LSI：MB94R330

并行接口鐵電存儲器

MB85R8M1TAFN-G-JAE2，MB85R8M1TABGL-G-JAE1

MB85R8M2TAFN-G-JAE2，MB85R8M2TABGL-G-JAE1

MB85R8M2TPBS-M-JAE1

MB85R4M2TFN-G-JAE2

MB85R4001ANC-GE1

MB85R4002ANC-GE1

MB85R1001ANC-GE1

MB85R1002ANC-GE1

MB85R256FPFCN-G-BNDE1

I2C接口 (一般用途)鐵電存儲器

MB85RC1MTPNF-G-JNERE1

MB85RC512TPNF-G-JNERE1

MB85RC256VPNF-G-JNERE1,MB85RC256VPF-G-BCERE1

MB85RC128APNF-G-JNERE1

MB85RC64TAPNF-G-AWE2,MB85RC64TAPNF-G-AWERE2,MB85RC64TAPNF-G-JNE2,MB85RC64TAPNF-G-JNERE2,MB85RC64TAPN-G-AMEWE1

MB85RC64APNF-G-JNERE1

MB85RC64VPNF-G-JNERE1

MB85RC16PNF-G-JNE1,MB85RC16PNF-G-JNERE1

MB85RC16VPNF-G-JNN1E1，MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1，MB85RC16VPNF-G-AWE2，MB85RC16VPNF-G-AWERE2

MB85RC04PNF-G-JNERE1

MB85RC04VPNF-G-JNERE1

用于高可靠性應用,符合AEC-Q100可靠性實驗標準的汽車級I2C接口鐵電存儲器

MB85RC512TY(AEC-Q100)

MB85RC512LY(AEC-Q100)

MB85RC256TY(AEC-Q100)

MB85RC256LY(AEC-Q100)

汽車級SPI接口鐵電存儲器

MB85RS4MTY(AEC-Q100)

MB85RS4MLY(AEC-Q100)

MB85RS2MTY(AEC-Q100)

MB85RS2MLY(AEC-Q100)

MB85RS512TY(AEC-Q100)

MB85RS512LY(AEC-Q100)

MB85RS256TYA(AEC-Q100)

MB85RS256TY(AEC-Q100)

MB85RS256LYA(AEC-Q100)

MB85RS128TY(AEC-Q100)

MB85RS64VY(AEC-Q100)

SPI接口 (一般用途)

1) 快速讀取模式時，可實現最大40MHz操作。

2) 有二進制計數器功能

3) 雙SPI模式時，可實現最大7.5MHz操作。

MB85RQ8MX

MB85RQ8MLX

MB85RS4MTY

MB85RS4MLY

MB85RS4MT

MB85RQ4ML

MB85RS2MTY

MB85RS2MLY

MB85RS2MTA

MB85RS1MT

MB85RS1MT(1.7V)

MB85RS512T

MB85RS256TY

MB85RS256B

MB85RS128TY

MB85RS128B

MB85RS64VY

MB85RS64TU

MB85RS64T

MB85RS64T(1.7V)

MB85RS64V

MB85RS64

MB85RS16

MB85RS16N

MB85RDP16LX

FeRAM的結構

FeRAM中使用PZT (鋯鈦酸鉛) 作為鐵電材料。

鋯 (Zr) 或鈦 (Ti) 正離子在晶格中占據兩個穩定位置，并且可以通過施加外部電場在兩個位置之間移動。由于兩個穩定位置都偏離電荷中心，因此在鐵電材料中會出現兩個相反方向的極化，圖中向上或向下。即使去除了電場，也可以存儲向上或向下極化，如果施加相反的電場，則可以在彼此之間切換。

鐵電膜的上下設置有電極，構成電容器，標示出電極電壓及極化量時，能夠實現磁滯 (過程) ，從而能夠記憶“1”或者“0”。鐵電存儲器就是利用了這種非易失性。

FRAM鐵電存儲器應用市場

物聯網(Lot)、汽車、工業 (用于設施)、工業 (用于基礎設施)、智能電表、醫療類、物聯網