北京
據報道，當地時間4月16日，JEDEC固態技術協會正式發布了HBM4內存規范 JESD270-4，標志著HBM（高帶寬內存）進入新一代發展階段。HBM4在帶寬性能、容量、功耗和系統靈活性等方面實現了全面升級，旨在滿足人工智能、高性能計算等前沿領域對內存的極致需求。
與上一代HBM3相比，HBM4采用2048位寬總線接口，單個堆棧的傳輸速率高達8Gb/s，總帶寬最高可達2TB/s，為行業設立了新的性能標桿。容量方面，HBM4支持4層、8層、12層和18層的DRAM堆疊結構，以及24Gb和32Gb的芯片密度，單堆棧最大可實現64GB容量。
在通道結構上，HBM4將每個堆疊的獨立通道數從16個提升至32個，每個通道含有兩個偽通道（pseudo channels），為設計人員帶來更高的帶寬調度效率與系統設計靈活性。
為了提升能效，HBM4支持供應商自定義的VDDQ電壓選項（0.7V、0.75V、0.8V或0.9V）以及VDDC電壓（1.0V或1.05V），實現更高的能源效率與熱控制能力。
同時，HBM4接口設計保持了對現有HBM3控制器的向后兼容性，這意味著在應用中可以實現HBM3與HBM4的混合使用，降低整體系統開發和部署的難度。
JEDEC HBM工作組主席、NVIDIA技術市場總監Barry Wagner表示：“高性能計算平臺正在迅速演進，對內存帶寬和容量的需求日益增長。HBM4的推出，標志著AI與加速計算應用將在效率與性能方面實現重大突破。”
HBM4的發布預計將加速AI、HPC、數據中心等關鍵行業的發展，成為推動下一波內存技術革新的關鍵動力。
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