自從芯片限制這場貿易戰開始之后，半導體產業的一點風吹草動都會引發業界的關注，尤其是那些芯片大廠的動向更是成為行業的風向標。

為何說芯片市場變天了呢？這主要是從幾個芯片制造大廠的態度看出來的，這些大廠的態度也預示著半導體行業接下來的發展動向。

臺積電研發出新工藝

首先是臺積電，在2025年ISSCC SRAM專題會議上，臺積電副聯席首席運營官兼業務發展和全球銷售高級副總裁張曉強 (Kevin Zhang) 在會議上就明確表示，下一代2nm工藝及A14（1.4納米級）工藝與 A16（1.6納米級）工藝都不需要最新一代的High-NA EUV光刻機的參與。

現在的芯片制程已經來到了2nm工藝，這對光刻機的要求越發高了，ASML緊鑼密鼓地研發最新光刻機就是為了應對市場對2nm及以下芯片制造的需求，但現在臺積電的這一番話直接讓ASML慌了。

在會議上，臺積電還展示了其最新的研究成果。對于2nm制程的制造，臺積電突破了SRAM微縮技術，創新的0.021μm2存儲單元達到38.1Mb/mm2，起碼提升10%存儲密度，打破了FinFET技術的限制。

在A14 NA工藝方面，臺積電研發出創新的Nanosheet GAA（全環繞柵極）納米片晶體管技術，這項技術能夠將現有EUV光刻設備的性能發揮到極致，在同樣功耗下能將芯片性能提升15%，在同樣頻率下能夠節省25%-30%的電耗。

此外，臺積電的技術研發團隊也正在持續尋求延長現有EUV光刻機壽命的方法并已取得有效成果。

臺積電方面表示，根據它們的創新技術，到1.4nm制程芯片都可以不需要用到High-NA EUV光刻機，起碼能夠支撐到2026年都能夠滿足新制程芯片生產，且極大地延長了現有設備的使用壽命，起碼能用到2030年以后。這打破了半導體產業新工藝須得新設備來配的慣例，這對ASML來說無疑是個噩耗。

英特爾態度轉變

其次是一直以來都是ASML光刻機頭號支持者的英特爾現在態度也開始轉變。Intel的一名高層董事就明確表示：在芯片制造中，先進的光刻設備不再占主導地位，GAAFET和CFET這些新型晶體管設計工藝正在降低芯片制造對先進EUV光刻設備的依賴。

如今芯片制造流程已經開始轉向刻蝕技術主導，如今芯片制造更重視橫向性能的提升，這項技術更多偏向使用蝕刻去除多余材料而非依賴光刻設備技術縮小電路尺寸。

傳統的光刻技術主要追求壓縮芯片尺寸，但現在隨著三維晶體管結構的創新，刻蝕技術的精確度將慢慢成為主流。

要知道英特爾作為全球首家High-NA EUV光刻機的引進者，可是High-NA技術的頭號支持者。

新設備使用門檻太高

事實上早在去年英特爾就已經拿到了ASML的最新一代High-NA EUV光刻機，但直到2025年才開始實現量產，這比原計劃晚了足足半年。可見這設備雖然先進，但新技術導入卻沒那么容易，門檻還是很高的。

如三星雖然去年底就收到了設備，但直到現在都還沒公布具體的量產計劃。

除此之外，最新一代的High-NA EUV光刻機售價高昂到令人咋舌，價格超過28億人民幣，這個數字足以建造一座小型的晶圓廠了，沒有過硬的實力根本拿不下，這也是為何最新一代的EUV光刻機僅出售5臺的原因。

據半導體分析師Jeff Koch預測：更換High NA最新設備獲得的成本效益遠不如現有設備技術，這個情況會維持到2030年后。

對于芯片制造不再依賴最新光刻機大家有何見解，歡迎在評論區留下您的觀點一起交流討論。