微波高頻集成電路芯片是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的一個(gè)重要分支，是通信、儀器儀表等多領(lǐng)域的核心支撐產(chǎn)品。

據(jù)思涵產(chǎn)業(yè)研究院《2024-2029年國內(nèi)射頻前端行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈格局及發(fā)展策略研究報(bào)告》顯示，隨著國內(nèi)企業(yè)產(chǎn)品開發(fā)速度加快以及新技術(shù)和產(chǎn)業(yè)政策的雙輪驅(qū)動(dòng)，預(yù)計(jì)到2030年中國射頻設(shè)備市場將增長至2000億元，年復(fù)合增長率約為10%。但我國本土射頻前端廠商以金額計(jì)的市占率不足15%，尤其在5G高集成度模組為代表的高端市場，以金額計(jì)的市占率不足5%，在關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域仍有很大的國產(chǎn)化空間。

成立于2017年8月的成都仕芯半導(dǎo)體有限公司(Chengdu SiCore Semiconductor Co.,Ltd.)正在為實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)高端射頻微波芯片自主可控和在短時(shí)間內(nèi)發(fā)展成為射頻/微波器件及系統(tǒng)領(lǐng)域的國際一流企業(yè)而砥礪奮進(jìn)。

自主創(chuàng)新 碩果累累

成都仕芯半導(dǎo)體專業(yè)從事高性能射頻微波集成電路芯片、組件和系統(tǒng)解決方案的設(shè)計(jì)、開發(fā)，擁有2500㎡的科研生產(chǎn)基地，包括1000余㎡的生產(chǎn)測試車間，搭載多套完整芯片測試設(shè)備，年產(chǎn)能達(dá)到數(shù)百萬顆。

成都仕芯半導(dǎo)體聯(lián)合電子科技大學(xué)等多所知名大學(xué)的專家教授、博士生導(dǎo)師、高級工程師和科研骨干，為產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、研發(fā)提供了有力的技術(shù)保障及人才儲備。 現(xiàn)已成功研發(fā)20余個(gè)大類、200余個(gè)小類的射頻、微波芯片產(chǎn)品。公司已申請50余項(xiàng)中外發(fā)明專利，擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)。

成都仕芯半導(dǎo)體先后通過了成都市集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)、國家高新技術(shù)企業(yè)、四川省瞪羚企業(yè)、四川省新經(jīng)濟(jì)示范企業(yè)、國家級專精特新“小巨人”企業(yè)等認(rèn)定。 公司技術(shù)中心被認(rèn)定為“成都市企業(yè)技術(shù)中心”，公司壓控振蕩器芯片入圍第十六屆“中國芯”芯火新銳產(chǎn)品獎(jiǎng)。

公司擁有世界一流的專業(yè)技術(shù)和市場團(tuán)隊(duì)， 核心創(chuàng)始團(tuán)隊(duì)擁有二十余年的頂尖微波、毫米波半導(dǎo)體公司跨國市場運(yùn)營經(jīng)驗(yàn)， 可為雷達(dá)、通信、導(dǎo)航、測試與測量等應(yīng)用領(lǐng)域的客戶提供高性價(jià)比的標(biāo)準(zhǔn)化產(chǎn)品及定制化系統(tǒng)解決方案。

2024年，成都仕芯半導(dǎo)體有限公司成功入選2024年國家級專精特新重點(diǎn)“小巨人”企業(yè)榜單，標(biāo)志著公司在高端射頻芯片領(lǐng)域的創(chuàng)新能力、市場占有率、掌握關(guān)鍵核心技術(shù)、質(zhì)量效益等方面具有顯著優(yōu)勢。

砥礪奮進(jìn) 未來可期

仕芯半導(dǎo)體既是國內(nèi)少有的具備集成頻率合成、射頻收發(fā)、射頻前端系統(tǒng)級SOC研發(fā)能力的企業(yè)，又是國內(nèi)少有的自建高頻射頻芯片批量生產(chǎn)測試線的企業(yè)。公司的核心產(chǎn)品壓控振蕩器芯片、模擬移相器芯片、分頻器芯片等已經(jīng)在通信、雷達(dá)等行業(yè)頭部客戶中得到廣泛應(yīng)用，多項(xiàng)技術(shù)和產(chǎn)品填補(bǔ)國內(nèi)相關(guān)領(lǐng)域空白，實(shí)現(xiàn)了通信關(guān)鍵芯片的自主可控。在國內(nèi)市場的占有率名列前茅，產(chǎn)品性能更是得到客戶的廣泛好評。

仕芯半導(dǎo)體在射頻/微波集成電路芯片領(lǐng)域具備較高的技術(shù)壁壘，客戶覆蓋了國內(nèi)市場份額前四的5G測試設(shè)備廠商，在核心元器件“國產(chǎn)化替代”趨勢下，公司未來可期。

成都仕芯半導(dǎo)體有限公司將參加6月11日在成都舉辦的2025年全國射頻微波技術(shù)與產(chǎn)業(yè)發(fā)展應(yīng)用大會。

部分產(chǎn)品介紹

01

集成VCO寬帶頻率合成器

SIPL351BSP6是一款高性能寬帶頻率合成器，可以產(chǎn)生78 MHz至20 GHz范圍內(nèi)的任何頻率。產(chǎn)品歸一化噪底典型值：-235dBc/Hz(整數(shù)模式)，-230dBc/Hz(小數(shù)模式)。最高鑒相頻率：200MHz（整數(shù)模式）。高速N分頻器沒有預(yù)分頻器，大大提高了雜散抑制比，同時(shí)減少了不必要的雜散的數(shù)量。

SIPL351BSP6的同族型號還包括：SIPL351ASP6，該型號有獨(dú)立的PFDIN端口，支持外接VCO，支持混頻環(huán)應(yīng)用，實(shí)現(xiàn)最優(yōu)相位噪聲指標(biāo)。

SIPL351XSP6系列頻率合成器芯片采用+3.3V供電，封裝采用QFN-40L，外形尺寸：6*6mm。

02

超寬帶高性能單雙（四）開關(guān)

SIS119SL3是一款基于硅基工藝的高性能超寬帶吸收式單刀雙擲開關(guān)，支持工作頻率9kHz至44GHz，插入損耗優(yōu)于3.3 dB，隔離度優(yōu)于43 dB。開關(guān)提供雙路全關(guān)斷模式，端口阻抗已匹配到50Ω。工作電壓±3.3V雙電源供電。SIS119SL3采用標(biāo)準(zhǔn)QFN-20L封裝，外形尺寸：3*3mm。引腳兼容高線性同族型號：SIS376SL3在100kHz輸入P1dB可滿足24dBm。

SIS375SL3是一款基于硅基工藝的高性能超寬帶吸收式單刀四擲開關(guān)，支持工作頻率9kHz至44GHz，插入損耗優(yōu)于4.5 dB，隔離度優(yōu)于33 dB。信號端口阻抗已匹配到50Ω。工作電壓±3.3V雙電源供電。SIS375SL3采用標(biāo)準(zhǔn)QFN-20L封裝，外形尺寸：3*3mm。引腳兼容高線性同族型號：SIS313SL3在300kHz輸入P1dB可滿足24dBm。

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