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近日，以 “數智驅動，新質引領” 為主題的ACCSI 2025第八屆檢驗檢測產業峰會在上海市成功舉辦。勝科納米（蘇州）股份有限公司研發部前沿技術負責人喬明勝發表了題為《半導體檢測智能化發展路徑與行業機遇》的報告，深入剖析了智能化系統如何賦能半導體檢測這一行業熱點話題，為與會嘉賓帶來了關于半導體檢測行業的深度思考與探討。

在半導體產業快速演進的浪潮中，隨著工藝節點向納米級不斷突破，半導體器件結構日益復雜，尺寸持續縮小。從平面工藝到 FinFET①、GAA②等立體結構，再到未來的CFET③技術，器件從單面生長向雙面拓展，這使得傳統檢測手段如光學顯微鏡已遠遠無法滿足需求，電子顯微鏡、球差電鏡等先進設備成為標配，樣品制備要求也愈發嚴苛。然而，當前檢測流程涉及送樣、曲線定位、樣品制備、物理分析等多個環節，需用上百種儀器，實驗室建設成本從百萬級躍升至億級，運營復雜度陡增。與此同時，行業對高精度、高效率檢測的需求與日俱增，智能化升級成為破解困局的關鍵路徑。

標準化先行，筑牢智能化根基

半導體檢測分析作為半導體產業鏈的關鍵環節，其服務范疇覆蓋半導體全產業鏈客戶，是驅動半導體行業技術演進與工藝革新的重要保障。隨著半導體集成電路技術的快速迭代升級，分析檢測面臨著更高標準的要求 —— 檢測流程日益復雜精密，對實驗室的綜合能力（如技術水平、設備精度、流程管理等）提出了更嚴苛的挑戰。

圖片說明：《半導體檢測智能化發展路徑與行業機遇》報告內容精選

勝科納米研發部前沿技術負責人喬明勝強調，半導體檢測智能化的首要前提是構建完善的標準體系。目前，半導體檢測技術標準分散在材料、集成電路等多個領域，尚未形成統一體系，這嚴重制約了行業發展。他指出，需從檢測流程、方法、技術要求以及第三方服務評價等維度入手，建立全鏈條標準體系，并將其滲透到設計、制造、工藝和可靠性驗證全過程。例如，勝科納米已著手構建內部標準體系，未來計劃在行業內推廣。標準化不僅能確保檢測結果的準確性和可比性，更為后續數字化、智能化奠定基礎，避免因標準缺失導致智能化應用偏離方向，如同 “無標則 AI 推薦大象” 的荒誕場景。

Labless引領第三方檢測生態創新發展

圖片說明：《半導體檢測智能化發展路徑與行業機遇》報告內容精選

喬明勝重點闡述了在"Labless（無自建實驗室）④"模式的指導下，建立半導體第三方分析檢測服務機構評價標準體系和技術標準體系的新思路，引發了與會專家的深度共鳴。在2020年底，勝科納米董事長李曉旻提出半導體產業的第四種運營模式：Labless（無實驗室運營）新概念，將產業鏈中的“必要非核心”研發環節從行業中剝離，成為全新的獨立行業賽道。在智能化發展路徑中，Labless模式成為核心亮點。這一模式借鑒半導體產業中設計與制造分離的Fabless模式，將檢測環節從整體產業鏈中剝離，由獨立第三方提供專業服務。

勝科納米作為踐行者，通過標準化、數字化和信息安全構建了獨特的 Labless 服務模式，不僅提供失效分析，還涵蓋輔助研發、仿真模擬、產品糾錯、工藝監控等多元服務。該模式的優勢在于整合行業資源，打造第三方分析測試生態圈，推動檢測服務的中立性與專業性。以勝科納米為例，其在福建、深圳、北京等集成電路產業集中地及新加坡、馬來西亞設有子公司，2025 年 3 月于科創板上市，正通過舉辦生態圈大會等舉措，聯合上下游企業共探行業發展。

標準、數字、安全三位一體，共繪智能藍圖

實現半導體檢測智能化，需構建標準、數字化、信息安全三位一體的支撐體系。在數字化層面，勝科納米自主研發了私有實驗室管理系統，對工作流程和數據進行拆分與數字化，提升管理效率。信息安全方面，針對半導體檢測中敏感客戶對數據保密的高要求，構建了涵蓋網絡數據安全、終端管理平臺等的保障體系，同時探索數據產權在大模型應用中的解決方案。未來，勝科納米計劃將 Labless 模式打造成開放標準與平臺，推動國際合作，引領行業智能化變革。 勝科納米承擔了從產品研發到量產的整個生命周期的五大功能，是半導體領域中的“芯片全科醫院”。Labless并非主張一步到位完全拋棄自建實驗室，Labless理念對應的具體業態目前表現為“Lab-Lite”模式，特點為保留小規模 自建實驗室滿足緊急和部分保密程度較高的檢測需求，同時將大 部分檢測分析需求委托至第三方完成。

在半導體產業競爭白熱化的當下，勝科納米提出的智能化賦能路徑，以標準為基、以模式為翼、以安全為盾，為行業突破檢測瓶頸、提升競爭力指明了方向。隨著 Labless模式的深入實踐與標準體系的逐步完善，半導體檢測行業正邁向智能化新時代。

注解：

①FinFET：FinFET（Fin Field-Effect Transistor）是鰭場效應晶體管的縮寫，是一種先進的晶體管架構，用于半導體設備，特別是在微處理器、圖形處理單元（GPU） 和片上系統（SoC）等集成電路（IC）中。與平面場效應晶體管（FET）設計相比，FinFET 架構具有許多優勢。

②GAA：全環繞柵極（GAA）是一種晶體管架構，可克服 FinFET 架構的挑戰。GAA 采用 FinFET 設計并將其側向轉動，使通道是水平的而不是垂直的。與FinFET架構中的三面環繞通道不同，四面環繞柵極環繞通道，以便更好地控制晶體管開關。一套新的非常精確的工藝用于制造GAA晶體管。這支持晶體管縮放，具有更低的可變性、更高的性能和更低的功耗。

③CFET ：CFET（互補場效應晶體管 ）是一種 CMOS 工藝，其中晶體管垂直堆疊，而不是像所有先前的邏輯工藝那樣位于同一平面，比如平面工藝、FinFET、納米片場效應晶體管（NSFET，也稱為環柵或 GAA）。 （互補場效應晶體管 ）是一種 CMOS 工藝，其中晶體管垂直堆疊，而不是像所有先前的邏輯工藝那樣位于同一平面，比如平面工藝、FinFET、納米片場效應晶體管（NSFET，也稱為環柵或 GAA）。

④Labless 模式：Labless 是 Lab（實驗室）與 Less（無，沒有）的組合，是“無自建實驗室”的運作模式，在現階段半導體產業發展中也涵蓋了“輕實驗室”（Lab-Lite）模式，即未購置大量檢測分析實驗設備而主要委托第三方進行檢測，其特點為保留小規模自建實驗室滿足緊急和部分保密程度較高的檢測需求，同時將大部分檢測分析需求委托至第三方完成，與廠內自建實驗室 In-House Lab（廠內分析實驗室）模式相對。

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