目前DDR5平臺已然成為主流裝機(jī)的大趨勢,但由于海力士A-Die顆粒供應(yīng)緊張,各大品牌的高端內(nèi)存價格紛紛上揚(yáng),部分產(chǎn)品的漲幅甚至達(dá)到200多。更令人擔(dān)憂的是,這種供應(yīng)緊張的狀況何時能夠緩解,目前還難以預(yù)測。
在這樣的情況下,海力士M-Die顆粒不失為一個頗具吸引力的選擇。盡管海力士M-Die顆粒在超頻性能上有所降低,但它在價格方面表現(xiàn)出色,具有極高的性價比,非常適合像我們這樣預(yù)算有限,或者更注重穩(wěn)定性的日常用戶。
如果你并不追求極致的超頻性能和超高頻率,那么選擇A-Die顆粒可能會造成資源浪費。相比之下,M-Die顆粒在功耗控制方面表現(xiàn)更為出色,能夠長期穩(wěn)定運(yùn)行,是一個更為務(wù)實的選擇。而且它只是在超頻能力上稍有減弱,具備中等的超頻水平,完全可以作為海力士A-Die顆粒內(nèi)存產(chǎn)品的理想替代品。
接下來,我要為大家分享一款來自奧睿科的內(nèi)存條--奧睿科DDR5馳刃內(nèi)存條16G。這款內(nèi)存條采用特挑海力士M-Die顆粒,時序為CL32-39-39-102,頻率6400MHz。
海士力原廠顆粒
奧睿科DDR5馳刃內(nèi)存條的包裝盒頗為小巧,文字版面設(shè)計簡潔質(zhì)樸,沒有花哨的元素,僅僅羅列了產(chǎn)品渲染圖、容量、頻率以及特性等關(guān)鍵信息,其背面則是對前面所提及特性的雙語闡釋。據(jù)我所知,奧睿科(ORICO)實行終生保固政策,如此重要的特色竟未在包裝盒上體現(xiàn),著實顯得有些低調(diào)了。
該內(nèi)存條采用加厚10層PCB板,優(yōu)化信號傳輸路徑,有效降低電磁干擾,確保穩(wěn)定性和可靠性,消除性能瓶頸,讓您盡享流暢的使用體驗。
奧睿科DDR5馳刃內(nèi)存條有黑色與銀白兩種顏色可選,均配備無光散熱馬甲。如果不是出于構(gòu)建全黑平臺的考慮,那么銀白色的視覺效果會更勝一籌。其鋁合金材質(zhì)的馬甲并非平面設(shè)計,兩側(cè)采用凹陷三角形進(jìn)行指引導(dǎo)向,精準(zhǔn)地引導(dǎo)至中央的“ORICO”標(biāo)識,盡顯質(zhì)感與品牌特色。
由于并非燈條設(shè)計,奧睿科馳刃DDR5內(nèi)存條整體高度僅為45mm。即便面對一些緊湊型機(jī)箱,也不會出現(xiàn)安裝兼容性問題。
通過小標(biāo)簽可知,奧睿科DDR5馳刃內(nèi)存條的時序為CL32-39-39-102,頻率6400MHz,運(yùn)行電壓為1.4V。單看時序,確實比不上我之前使用的CL30的內(nèi)存條那般極致,但從價格方面考量,其基礎(chǔ)參數(shù)表現(xiàn)良好,實現(xiàn)了高頻低時序的優(yōu)勢。而且內(nèi)存搭載了全新的PMIC電源管理芯片,不鎖電壓,再配合ON-Die ECC糾錯功能,后續(xù)進(jìn)行小幅度超頻操作也較為輕松。
實測馬甲厚度約為1.5mm,內(nèi)存整體厚度約為7.9mm,較厚的馬甲能夠帶來更為出色的散熱效果。
從側(cè)面觀察,鋁制馬甲、導(dǎo)熱貼與內(nèi)存顆粒三者貼合緊密,拿在手中頗具分量。但擔(dān)心拆開后無法再享有終生保固,我就不探究其內(nèi)部構(gòu)造了。但從縫隙處可以推測,內(nèi)部的PMIC芯片應(yīng)該也做了散熱覆蓋處理。
性能表現(xiàn)
奧睿科DDR5馳刃內(nèi)存條提供了兩個頻率版本,分別是6000MHz和6400MHz。售價只相差幾十元而已,區(qū)別主要是默認(rèn)時序差異,6000MHz版本采用的是CL30-38-38-76。若你無意深入超頻,那么選擇6400MHz的內(nèi)存條將更為便捷。平臺方面,我使用酷睿Ultra7 265K處理器,搭配七彩虹iGame Z890 FLOW V20主板。
七彩虹iGame Z890 FLOW V20采用了20相核心供電+1相VCCGT供電+1相VCCSA供電+1相VNNAON供電設(shè)計,單相輸出90A,核心供電主控為RAA229130。CPU插槽為LGA 1851底座,全面支持英特爾酷睿Ultra 200S系列處理器。
供電接口使用8+8PIN,即便Ultra 9 285K這類旗艦級CPU也能穩(wěn)定駕馭,可以提供穩(wěn)定的電力支撐。
主板提供了四條DDR5內(nèi)存插槽,單條最大支持48GB,總?cè)萘?92GB。使用了第二代iGame布線設(shè)計,頻率支持達(dá)8800MHz(OC)。同時,各內(nèi)存插槽均使用了金屬加固處理,單邊卡扣設(shè)計,耐用性值得肯定。
在擴(kuò)展性能方面,主板提供了PCIe 5.0 x16長插槽、PCIe 4.0 x1插槽、PCIe 4.0 x4長插槽、4個臥式SATA 6Gb/s硬盤接口以及5個M.2插槽。其中位于CPU附近的M.2_1插槽采用PCIe 5.0 x4規(guī)格,直接從CPU引出,規(guī)格支持2242、2260、2280和22110四種長度的固態(tài)硬盤。
I/O面板區(qū)域,不僅配備了4個USB-A 2.0接口、4個USB 3.2 Gen2接口、2個USB4 40G Type-C接口、一個DP和HDMI核顯輸出口,還提供了2.5G有線網(wǎng)口、W-iFi 7天線接口、光纖數(shù)字音頻口、7.1音頻孔、BIOS升級按鈕以及Clear CMOS按鈕。無論是新設(shè)備還是老設(shè)備,都能在這里找到合適的接口,滿足發(fā)燒友的使用需求。
英特爾酷睿Ultra 7 265K處理器采用了8個性能核+12個能效核設(shè)計,30MB的L3和36MB的L2緩存,性能核最大睿頻頻率5.5GHz,能效核最大睿頻頻率4.6GHz,基礎(chǔ)功耗125W,最大睿頻功耗250W。
常規(guī)頻率
首先我們直接插上奧睿科DDR5馳刃內(nèi)存條后開機(jī)。在默認(rèn)狀態(tài)下的AIDA64測試成績?yōu)椋x取速度39049 MB/s,寫入速度34767 MB/s,復(fù)制速度37866 MB/s,延遲值為109.1ns。
隨后我們重啟主機(jī),在主板BIOS里開啟XMP內(nèi)存超頻功能。進(jìn)入系統(tǒng)后,利用CPU-Z確認(rèn)奧睿科DDR5馳刃內(nèi)存條的運(yùn)行規(guī)格已達(dá)到6400MHz頻率,其DRAM制造商為SK hynix(海力士),支持XMP3.0和EXPO一鍵超頻,內(nèi)置了XMP和EXPO模式時序CL32-39-39-102,電壓是1.4V,這與標(biāo)簽上的信息完全吻合。
在AIDA64的進(jìn)一步測試中,奧睿科DDR5馳刃內(nèi)存條的頻率為6400MHz,時序為CL32-39-39-102。最終測試結(jié)果顯示,讀取速度52337 MB/s,寫入速度45230 MB/s,復(fù)制速度為48582 MB/s,延遲值降至83.1ns,成績提升顯著。
簡單超頻
那么采用M-Die顆粒的奧睿科DDR5馳刃內(nèi)存條,其超頻能力究竟如何呢?我們進(jìn)行了簡單的小幅超頻操作。
手動將頻率調(diào)至6800MHz,保持電壓1.4V不變,將時序調(diào)整為CL40-40-40-102,主機(jī)重啟后順利點亮。由于沒有對小參進(jìn)行精細(xì)調(diào)整,在AIDA64測試中,雖然讀取、寫入和復(fù)制速度均有所提升,但延遲值略有上漲。
接著,我們適度修改一下時序參數(shù)至CL34-40-40-105,再次通過AIDA64測試。最終測試結(jié)果為讀取速度55859 MB/s,寫入速度47126 MB/s,復(fù)制速度50486 MB/s,延遲值81.3ns。各方面都有進(jìn)步,延遲也比原來6400MHz的更優(yōu)。
采用RunMemtest Pro進(jìn)行烤機(jī),奧睿科DDR5馳刃內(nèi)存條成功通過測試,這表明它能夠在該頻率下穩(wěn)定運(yùn)行,意味著內(nèi)存條已穩(wěn)穩(wěn)地達(dá)到了6800MHz。在此分享一段個人經(jīng)驗,RunMemtest Pro烤機(jī)測試若不穩(wěn)定,一般會在進(jìn)度達(dá)到15%之前顯現(xiàn),所以通常無需完整跑完測試。
烤機(jī)過程中,我們使用紅外線溫度儀測量散熱馬甲外殼溫度,結(jié)果為37.6℃,不必?fù)?dān)憂散熱問題。
對比在6800MHz頻率下《黑神話悟空》的性能測試結(jié)果,微調(diào)前后的幀數(shù)差距約為1幀。雖然有一定提升,但平均之后效果并不十分明顯。
在Steel Nomad跑分測試中,分值差距超過了十多分,數(shù)字面板上的效果會較直觀些。
PCMark 10的場景評估中,主機(jī)整體總分為7776分,其中數(shù)位內(nèi)容創(chuàng)作得分最高,達(dá)到了13835分。無論是內(nèi)容創(chuàng)作還是渲染設(shè)計,主機(jī)的表現(xiàn)都遠(yuǎn)超預(yù)期。最后我們嘗試在6800MHz頻率下使用PR剪輯軟件,視頻導(dǎo)出和渲染過程均正常,輸出速度大約提升了3秒。
我的個人推薦
對于日常娛樂和游戲需求,奧睿科DDR5 馳刃16GB 6400MHz內(nèi)存條已經(jīng)足夠使用。經(jīng)過小幅超頻后,游戲性能可提升約2幀,而特挑海力士M-Die顆粒的超頻簡單便捷,相當(dāng)于免費獲得額外性能。
那么問題來了,就當(dāng)下DDR5的價格而言,你是會與我一樣選擇6400MHz的奧睿科DDR5馳刃內(nèi)存條,還是添加預(yù)算直接選購高頻內(nèi)存?
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