6月9日，中微公司（688012）在投資者關系互動平臺上，針對投資者關心的前沿技術布局與發展戰略問題作出積極回應，釋放出其在高帶寬內存（HBM）及先進封裝領域全面發力的信號。

有投資者提問，中微公司的TSV（硅通孔）蝕刻設備是否可應用于HBM高帶寬存儲芯片的制造流程？對此，公司董秘明確表示，目前中微公司在先進封裝領域，尤其是涵蓋HBM工藝的相關制程設備方面已全面布局，產品包括刻蝕、CVD（化學氣相沉積）、PVD（物理氣相沉積）及晶圓量測檢測設備，且公司已正式發布了CCP刻蝕系統以及TSV深硅通孔設備。這表明中微正積極推動相關產品在高性能AI芯片封裝等新興應用場景中的落地。

HBM被視為支撐AI與高性能計算發展的關鍵內存技術，其通過3D封裝技術堆疊多層DRAM，并借助TSV實現高速互聯，對芯片制造與封裝設備提出了更高要求。中微在該領域的快速布局，也預示著其技術與市場策略正在緊密圍繞下一代算力基礎設施展開。

面對另一位投資者關于“是否專門研發HBM相關制程設備”的提問，中微公司再次強調，其在先進封裝領域的設備覆蓋范圍廣泛，已囊括HBM相關制程所需的核心設備類型。尤其是TSV深孔蝕刻技術方面，中微通過自研實現了技術突破，具備了支撐量產需求的能力，未來有望在HBM產業鏈中發揮關鍵作用。

針對有投資者提出“建議公司并購拓荊科技”的想法，中微公司也作出回應，稱公司將堅持與上下游合作伙伴共同發展，繼續推進“三維發展戰略”：一是持續深耕集成電路關鍵設備領域；二是積極拓展在泛半導體領域的關鍵設備應用；三是探索新興技術與場景下的增長機會。通過高效協同與戰略合作，公司將確保在當前全球半導體產業格局下實現“高速、穩定、安全、健康”的可持續發展。

目前，中微公司作為國產半導體設備龍頭之一，在刻蝕、薄膜沉積、量測等多個技術方向不斷取得突破，其先進封裝設備也逐漸進入AI芯片、HBM存儲芯片等高門檻領域。隨著AI時代算力需求的爆發，HBM市場前景廣闊，而中微在該領域的持續投入與技術積累，或將在下一階段成為其增長新引擎。