北京
近日，甬矽電子（688362.SH）在公司互動平臺上回應投資者提問時表示，公司已實現量產的2.5D封裝技術，在工藝流程和設備應用方面與高帶寬存儲芯片（HBM，High Bandwidth Memory）的封裝工藝存在一定的重疊和關聯。這一技術共性主要體現在硅中介層（interposer）的制備、微凸點焊接、精密對位、以及高密度互連等關鍵環節。基于此，甬矽電子在封裝制造領域積累了豐富的經驗和較強的技術實力，為未來涉足HBM封裝市場奠定了堅實基礎。
然而，甬矽電子也明確指出，公司是否參與HBM封裝業務，將主要取決于與存儲芯片制造商在商業合作模式上的契機和戰略匹配。HBM封裝作為一種高度復雜且技術門檻較高的內存封裝方案，不僅要求技術上的兼容和升級，更需在產業鏈協作、客戶需求及市場導向等層面實現深度融合。因此，甬矽電子在考慮拓展HBM封裝業務時，將充分評估自身的技術積累與產能優勢，結合存儲廠商的需求和合作意愿，尋求雙方商業模式上的最佳契合點。
此外，隨著人工智能、云計算、大數據等應用的快速發展，市場對高性能、高帶寬存儲解決方案的需求日益增長，HBM作為關鍵存儲技術之一，具備廣闊的發展前景和市場空間。甬矽電子若能成功抓住這一機遇，結合公司已有的2.5D封裝技術基礎，積極參與HBM封裝產業鏈，將有望進一步提升公司在先進封裝領域的市場競爭力和技術影響力。
總體來看，甬矽電子憑借其在2.5D封裝領域的技術積累和設備優勢，具備向HBM封裝市場延伸的潛力。但實際業務拓展仍需依據市場環境、技術發展和合作方的戰略規劃靈活調整。公司強調將持續關注行業動態，積極探索與存儲芯片企業的合作機會，力爭在高帶寬內存封裝領域實現穩健發展，為股東創造更大價值。
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