近日，SK海力士在一則官方訪談中透露，其在高帶寬內(nèi)存（HBM）技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，得益于十余年來對硅通孔（TSV）先進(jìn)封裝技術(shù)的持續(xù)投入。隨著AI算力需求持續(xù)高漲，HBM芯片正成為人工智能基礎(chǔ)設(shè)施中不可或缺的關(guān)鍵組件，SK海力士也因此成為全球HBM市場的重要領(lǐng)導(dǎo)者。

SK海力士副總裁金春煥（Kim Joon-hwan）在接受公司新聞編輯室采訪時指出：“我們始終堅持長期研發(fā)戰(zhàn)略，特別是早期在TSV技術(shù)上的持續(xù)投入，以及圍繞HBM建立的完整制造與測試基礎(chǔ)設(shè)施，是我們實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)并贏得市場的核心競爭力。”

TSV（Through-Silicon Via）是一種用于堆疊芯片并實現(xiàn)垂直互連的先進(jìn)封裝技術(shù)。它通過在晶圓中精密打孔并用導(dǎo)電材料實現(xiàn)芯片層間連接，顯著提升了數(shù)據(jù)傳輸帶寬與能效比。SK海力士自2009年起預(yù)測到高性能計算和AI將驅(qū)動高帶寬內(nèi)存的爆發(fā)式增長，于是聚焦開發(fā)TSV相關(guān)技術(shù)，并于2013年正式推出其首款HBM產(chǎn)品，迅速躋身行業(yè)前列。

金春煥介紹說：“TSV的開發(fā)在早期極具挑戰(zhàn)性，需要納米級的工藝精度、先進(jìn)的芯片對準(zhǔn)和封裝能力。為了確保良率和穩(wěn)定性，我們構(gòu)建了配套的測試與量產(chǎn)平臺，這是目前競爭對手難以在短期內(nèi)復(fù)制的。”

目前，SK海力士已量產(chǎn)并向NVIDIA供應(yīng)第五代HBM3E產(chǎn)品，主要用于其最新AI加速卡（如H200、B200系列），支持生成式AI模型如GPT-4的高效運行。公司最新的8-Hi HBM3E（八層堆疊）產(chǎn)品自今年3月起已進(jìn)入批量出貨階段，而12-Hi版本預(yù)計將于年底前問世。更先進(jìn)的16-Hi版本計劃于2025年第一季度發(fā)布。

展望未來，SK海力士還透露，其第六代產(chǎn)品HBM4預(yù)計將在2025年下半年正式推出。據(jù)悉，HBM4將采用更先進(jìn)的封裝架構(gòu)和全新的內(nèi)存控制技術(shù)，有望顯著提升帶寬、能效及多芯片集成能力，并將對AI服務(wù)器、超級計算和未來的Chiplet架構(gòu)系統(tǒng)起到關(guān)鍵支撐作用。

根據(jù)市場調(diào)研機構(gòu)TrendForce最新數(shù)據(jù)，2024年全球HBM市場規(guī)模將突破100億美元，預(yù)計到2027年將達(dá)到250億美元以上，年復(fù)合增長率超30%。SK海力士、三星與美光正圍繞HBM技術(shù)加速下一階段的競速布局。