來源：江蘇化工協會

近日，東麗宣布基于其先進的高靈敏度負性配方和專有的光刻膠設計技術成功開發STF-2000光敏聚酰亞胺，該材料可在厚度達200微米的薄膜上實現30微米線寬的精細化加工（深寬比達7），同時，可實現L/S=4μm以下的高分辨率圖案，有望應用于新型MEMS器件（包含了傳感器等微機電系統）開發。

值得一提的是，該產品符合歐盟等地的環保法規，不含N-甲基吡咯烷酮（NMP）和全氟/多氟烷基物質（PFAS）。預計量產時間為2025年，其厚膜片型的開發也在推進。

STF-2000在使用標準曝光系統（H線）且無需特殊設備的情況下即可形成各種復雜圖案，也就是說，東麗的新品無需升級至KrF或ArF等昂貴的光刻系統，可直接在現有產線部署。這大幅降低了企業（尤其是中小型廠商）的技術升級成本。

突破新工藝

東麗是全球正性光敏聚酰亞胺產品市場化最成功的企業之一。從此次公布的新產品特性來看，這一基于負性配方的產品結合了兩種光敏聚酰亞胺的多重優勢。

STF-2000與丙烯酸酯、環氧樹脂兩大光固化材料體系對比性能

東麗最新發布的STF-2000采用堿性水溶液顯影，能實現深寬比達7的精細微加工，也可應用于以往聚酰亞胺所應用的膜厚10 ～ 30μm的區域，同時保留了該材料在結構上的固有優勢，包括優異的耐熱性和耐化學性、力學性能、絕緣性和抗X射線。

在半導體加工中，光刻膠和PSPI均可用于圖形形成工藝。但二者的根本區別在于：PSPI最終會作為聚酰亞胺薄膜集成到電子器件中，而光刻膠在工藝完成后將被去除。因此，PSPI的設計必須兼顧以下兩個關鍵要素：1）成像性能（靈敏度、分辨率、顯影系統、熱處理條件（酰亞胺化）等）；2）薄膜特性（機械強度、電學性能、尺寸穩定性、粘附性、純度）。同時滿足這兩大性能要求，被視為PSPI開發的重要方向。

此前，傳統的負性光敏聚酰亞胺（n-PSPI）無論在光刻精度還是環境友好性方面均不及正性光敏聚酰亞胺（p-PSPI）。這主要體現在：1）p-PSPI具有更高的感光度，可實現厚膜加工，通過提供有效的應力緩解、簡化制造流程、改善結構完整性和提升電氣特性等方式，對半導體器件的整體性能做出了貢獻；2）使用堿性水溶液顯影，不僅更好的環境兼容性還避免了有機顯影液對PI光刻圖形的侵蝕，圖形分辨率高；3）可從傳統的非光敏PI/正性光刻膠工藝進行移植，不需要復雜的工藝及設備改進。

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