廣東
鎧俠（Kioxia）宣布，推出新款245.76TB超大容量的LC9系列NVMe SSD，專為滿足生成式AI環(huán)境的性能和效率需求而構(gòu)建。新產(chǎn)品可選2.5英寸及EDSFF E3.L外形規(guī)格可選，，進(jìn)一步擴(kuò)展其大容量企業(yè)級(jí)SSD產(chǎn)品陣容。
新產(chǎn)品搭載了32個(gè)BiCS8 2Tb QLC NAND閃存芯片，采用了CBA（CMOS directly Bonded to Array）技術(shù)，支持下一代數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載所需要的速度、規(guī)模和密度。利用先進(jìn)的閃存架構(gòu)及CBA技術(shù)，使得每個(gè)小型154 BGA封裝的容量達(dá)到了8TB，為業(yè)界首創(chuàng)。
鎧俠LC9系列SSD的亮點(diǎn)包括：
EDSFF E3.L及2.5英寸外形尺寸，245.76TB容量。
EDSFF E3.S外形尺寸可提供122.88TB容量。
與OCP數(shù)據(jù)中心NVMe SSD 2.5規(guī)范兼容（并非所有要求）。
多種安全選項(xiàng)，包括SIE、SED和FIPS SED。
采用CNSA 2.0簽名算法，在設(shè)計(jì)時(shí)考慮了未來的量子安全標(biāo)準(zhǔn)。
靈活的數(shù)據(jù)放置（FDP）支持，可最大限度地減少寫入放大，并延長SSD的使用壽命。
符合NVMe 2.0、NVMe-MI 1.2和PCIe 5.0規(guī)范，提供了1×4和2×2兩種PCIe通道配置方式，最大128GT/s。
搭載BiCS8 2Tb QLC NAND閃存，采用了CBA技術(shù)，單獨(dú)制造每個(gè)CMOS晶圓和單元陣列晶圓，然后粘合在一起。
鎧俠表示，LC9系列SSD已向特定客戶提供樣品。
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