廣東
過去兩年里，隨著人工智能（AI）的蓬勃發展，高帶寬存儲器（HBM，High Bandwidth Memory）市場的競爭也變得愈發激烈。特別是SK海力士，憑借HBM3和HBM3E，甚至成為了DRAM市場的領頭羊。與之相反的是三星，過去的頭號玩家在HBM3出師不利，一直沒有得到英偉達的供應資質，極大影響了收入，還丟掉了第一的位置。
據Wccftech報道，隨著HBM3E的推出，三星的情況有所改善，但是仍然在設法進入英偉達的主流供應鏈。與此同時，三星也提前開始在HBM4布局，希望通過新產品扭轉不利的局面。最新報告指出，三星正在與AMD及英偉達合作，計劃本月底將提供12層堆疊的HBM4樣品。
目前市場對三星在HBM4上的進展更加樂觀，很重要的一個原因是三星在1cnm DRAM技術上取得巨大進步，而且在生產測試中實現了50%至70%的良品率，相比于去年末不到30%的水平，有了大幅的提升。三星關心的并不是比競爭對手盡早地供應HBM4，而是推出一款能實現穩定供應的產品，從而被AMD和英偉達的產品所采用。
除了SK海力士和三星外，美光也虎視眈眈，準備了自己的HBM4。由于這次供應鏈上激烈的競爭，預計HBM價格可能會下降。根據SK海力士和三星的公布計劃，兩者的HBM4將在未來幾個季度內進入量產階段。
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